第6章-电子与微电子-6.3-半导体学案.ppt

定义 半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。 凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断进行复合。在一定温度下，载流子的产生与复合会达到动态平衡，即载流子浓度与温度有关。温度愈高，载流子数目就愈多，导电性能就愈好——温度对半导体器件的性能影响很大。 半导体中的价电子还会受到光照而激发形成自由电子并留下空穴。光强愈大，光子就愈多，产生的载流子亦愈多，半导体导电能力增强。故半导体器件对光照很敏感。 杂质原子对导电性能的影响将在下面介绍。 掺入磷杂质的硅半导体晶体中，自由电子的数目大量增加。自由电子是这种半导体的导电方式，称之为电子半导体或N型半导体。 二元化合物半导体： ① IIIA族的Al, Ga, In和 VA族的P, As, Sb可组成九种化合物，如 InP, GaP, InAs, GaAs等，它们在制做发光器件、半导体激光器、高速晶体管和微波功率管等方面很有前途。 ② 由IIB族的Zn, Cd, Hg 和VIA族的S, Se, Te组成的ZnS, CdS, CdSe, HgS等，主要用在制做光敏电阻、光探测器等方面。 ③ Pb的S族化合物PbS, PbTe和 PbSe也是重要的半导体材料，它们由于禁带宽度较窄，具有显著的红外光电导，可以制做红外探测器，是一类人们感兴趣的红外光电导材料。 ④ Bi的S族化合物也是半导体材料，如Bi2Te3可作为一种热电材料。 ⑤ IVA族的C, Si, Ge, Sn, Pb元素间组成的化合物半导体，如SiC。 除了二元化合物半导体外，还存在一些三元甚至四元化合物半导体。如属于黄铜矿的CuFeS2, CuInTe2, CuInSe2和CuAlTe2都具有明显的整流特性。 但是，目前对多元化合物的研究进展并不大，主要是由于制备和提纯这些化合物非常困难，有些材料甚至连单晶的生长都很难控制。 固熔体半导体 固熔体是由两个或多个晶格结构类似的元素化合物相互溶合而成。可分为二元系和三元系，二元系有IVA-IVA组成的Ge-Si固熔体；VA-VA组成的Bi-Sb固熔体。三元系有GaAs-GaP组成的GaAs1-xPx和HgTe-CdTe组成的Hg1-xCdxTe。 这些混合晶体材料可以通过选取不同的配比x，来调节并达到需要的物理参量（如禁带宽度、折射率），这样人们就可能根据需要设计具有某些电学和光学特性的材料来满足器件的需要。 PN结的形成由于P区的多数载流子是空穴，少数载流子是电子；N区多数载流子是电子，少数载流子是空穴，这就使交界面两侧明显地存在着两种载流子的浓度差。因此，N区的电子必然越过界面向P区扩散，并与P区界面附近的空穴复合而消失，在N区的一侧留下了一层不能移动的施主正离子；同样，P区的空穴也越过界面向N区扩散，与N区界面附近的电子复合而消失，在P区的一侧，留下一层不能移动的受主负离子。扩散的结果，使交界面两侧出现了由不能移动的带电离子组成的空间电荷区，因而形成了一个由N区指向P区的电场，称为内电场。随着扩散的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，由于内电场的作用是阻碍多子扩散，促使少子漂移，所以，当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，将形成稳定的空间电荷区，称为PN结。 光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为“光生伏打效应”，简称“光伏效应”。 硒 结晶炭 灰锡 锗 硅 周期表中半导体相关元素 1、硒 实际应用的最早半导体材料 禁带较宽，大于1.7ev 分晶体和非晶体，晶体硒有两种同素异形体（红硒、灰硒） 主要用来制作光电池、摄像靶、整流器； 硒整流器具有耐高温、特性稳定、过载能力强等优点 2、结晶炭 1）金刚石 金刚石薄膜具有禁带很宽、高热导率、高临界击穿电场、高电子饱和速度、低介电常数，适合制造高性能电力电子器件和高温电子学器件 电阻率很高，但掺杂可使电阻率降低 高热导率 ，可作切割工具燃料 对光的折射率高，吸收系数低，在光电子学领域存在潜在的应用价值 2）C60 C60 分子由五原环和六元环构成的炭笼分子结构 常温常压下发生向金刚石转变的结构变相，为金刚石的人工合成提供了潜在的新途径 金刚石薄膜CVD淀积前