Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响.docVIP

Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响 -微细加工技术 朱继国,丁万昱,王华林,张树旺,张 粲,张俊计,柴卫平 (大连交通大学材料科学与工程学院光电材料与器件研究所,辽宁大连116028) Mo薄膜 背接 触(back contact,BC)层 首先,应具有一定的惰性, 以抵抗吸收层CIGS薄膜沉积过程中高腐蚀性气氛的影响; 其次,要具有阻隔性能, 以阻止衬底表面的杂质扩散进入吸收层; 再者,要具有低的电阻率, 以便与p型CIGS薄膜形成良好的欧姆接触,降低界面处的少子(电子)复合率,这是保证所制备器件具有良好电学性能的基础; 最后,BC材料还必须具有高的光反射率, 从而在最大程度上降低光的损失。 普通钠钙玻璃(SLG),依次经丙酮、酒精、去离子水超声清洗,时间各10 min,然后经氮气吹干,溅射靶材是纯度为99195%的金属Mo靶,脉冲电源为AE公司生产的直流脉冲电源,靶材与衬底之间的平行距离(靶基距)为110 mm,真空室本底真空为6@10-4Pa,工作气体为高纯Ar(99199%),通过流量显示仪和插板阀调节气体流量,使真空室内压强分别为014 Pa,016 Pa,018 Pa,112 Pa,116 Pa,210 Pa和214 Pa。样品沉积前,先将靶材用挡板封闭,利用Ar等离子体溅射靶材表面5 min,以去 除表面附着的污染物,然后移开挡板开始沉积Mo薄膜,薄膜沉积时间为30 min。 Ar气压强对Mo薄膜沉积速率的影响 真空室内气体密度较低,轰击Mo靶的高能带电粒子 数量少,因此沉积速率较低。随着Ar气压强的升高,虽然溅 射出的高能带电粒子数量增多,但不足以影响粒子的平均自 由程或对其影响较小,故沉积速率会随之增大, Ar气压强在0140 Pa以下时,由于真空室内Ar等离 子体含量非常低,辉光放电不易维持 一方面是因为随着Ar气压 强升高,薄膜的沉积速率增大,这容易造成薄膜结构疏松,诱 发各类缺陷的出现;另一方面,从式(1)可以看出,溅射气压低 时,气体分子密度较小,溅射粒子的平均自由程较大,与气体 分子碰撞电离几率较小,因此到达衬底的粒子能量较高,沉积 的薄膜结构致密,结晶质量较好[12],电阻率低。随着气压的 升高,使得从靶材溅射出来粒子的平均自由程缩短,在沉积过 程中与Ar+碰撞次数增多,导致到达衬底的粒子能量降低,因 而没有足够的能量在衬底上完成结晶、迁徙,因此薄膜结晶质 量差,晶粒尺寸小、晶界等缺陷增多,最终导致薄膜电阻率的 增大。另据文献[8,13],低压下沉积的薄膜结构致密、晶粒粗 大,而大晶粒能显著提高Mo薄膜的载流子浓度,降低晶粒间 界的势垒高度,电子穿越势垒产生电导的能力强,因此电阻率较 低;而高压下沉积薄膜电学性能则与之相反,因此电阻率较高。