红外成像阵列与系统-5.pptVIP

第三章 单片硅微测辐射热计阵列;§3.5 微辐射计阵列的读出电路 ; CCD和MOSFET是应用最广泛的两种读出电路，它们可用硅材料制成，在使用CCD时电荷要进行多次转移。;单片读出电路;微辐射计的读出电路的一般形式 ; 一个64×64的阵列,帧速为30Hz,则像素时间为1/64×64×30=8.1μsec。如果一个单独的微辐射计在任何瞬间都可以读出，每个微辐射计可以偏置△ｔ=8.1μsec 的时间。 ;64×64的阵列 ;实际应用中困难;实际应用中困难;解决方法; 早期的240×336阵列使用了同时外加偏置的14个微辐射计，从焦平面输出14个平行的模拟信号到14个外部积分器中。;240×336的改进;行多路复合器 ;讨 论; 但是很难得到具有相当低的噪声的COMS放大器，因为它们工作在线性区，其栅极1/f噪声影响它们的性能。前面我们知道用双极性器件是很容易设计出足够低噪声的前置放大器，所以设计低噪声单片读出电路，混合双极性COMS（BIMOS）是一种很有吸收力的技术。;阵列的非均匀性 ;阵列非均匀性定义;阵列非均匀性产生原因;具体分析原因;产生的影响;产生的影响; 因为可以固定阵列失调的非均匀性，所以可以使用很多种电路技术去补偿非均匀性，就如A/D设计者所做的那样。;§3.6　补偿方案 ;1 加斩波器法;2 加光闸法;两法的异同点;