2第二章CCD原理说课.pptVIP

第二章、CCD工作原理23;CCD的结构;*;*;*;*;电荷耦合器件的工作原理;特点：以电荷作为信号;2.1电荷产生 ①CCD器件象元是光敏元，每个象元是一个MOS电 容器也是一个MOS二极管. ②在衬底和金属电极加偏压形成势阱. ③光注入：当一束光线投射到MOS电容上时，光子穿过透明电极及氧化层进入P型衬底，衬底中处于价带的电 子将吸收光子能量而进入导带，形成电子－空穴 对，电子－空穴对在外加电场作用下可移动形成 “光生电荷”。将存在电极下的势阱中. ④价电子能否跃迁至导带形成电子－空穴对，将由入射光子能量hγ是否大于等于Eg（半导体禁带宽度）来确定, 关系式：Eg＝1.24/λc（截止波长，表示吸收光子能量的下限） ;⑤不同的衬底材料对应不同的λc值，（不同的Eg）因此选用不同的衬底材料制作的CCD将有不同的光谱特性(紫外、红外、X光、可见光等） 为什么不同CCD的响应波长不同？红外，紫外，可见光 ⑥光注入电荷公式：Q=η·q·△neo?A·Tc 其中η:材料量子效率， q:电子电荷量， △neo:入射光光子流速 ，A:光敏元受光面积 ，Tc:注入时间（积分时间） η, q, A均为常数，Q与△neo、 Tc成正比 注入时间tc由CCD驱动器的转移脉冲的周期决定 电注入： CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，然后将信号电压或电流转换为信号电荷注入到相应的势阱中。 ;光电导效应;信号电荷的产生（示意图）;2.2电荷存储;;势阱内吸收的光电子数量与入射光势阱附近的光强成正比。这样一个MOS结构单元就称光敏单元或一个象素；而将一个势阱所吸收集的若干个光生电荷称为一个电荷包。;P型半导体，Positive，空穴带正电荷，自由电子带负电荷，参与导电的是空穴 ;2.2电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS（金属－氧化物－半导体）结构。 1.关于MOS结构存储电荷的能力 （a）VG＝0 半导体内部无变化，内部的空穴分布均匀 （b) VGVth 有耗尽层，表面势小不能存储信号（空穴被排斥） （c) VGVth 表面势足够大，能存储电荷（吸收电荷） 将半导体体内的电子吸收到表面形成一层极薄的但电荷浓度很高的反型层 表面势：半导体与绝缘体界面上的电势Φs ;表面势与栅极电压呈线性关系。 随着栅极电压的增加，表面势也逐渐增加。;在栅极电压不变的情况下，表面势与反型电荷密度呈反比例线性关系。 随着反型电荷密度的增加，表面势逐渐减小。 这种线性关系可以半导体物理中的“势肼”概念描述。 电子所以被加有栅极电压的MOS结构吸引到氧化层与半导体的交界面处，是因为那里的势能最低。 “水往低处流” ;2.关于势阱的概念 势阱：表征MOS电容存储电荷的能力。 ①存储电荷的能力是 由于表面势的存在造成的。 ②无反型层电荷时， 阱深与栅压VG有关。 3.MOS电容存储电荷容量 Q=COX ?VG?A (A：栅极极面积） MOS电容容量COX、栅极电压VG ;光滴;CCD 的工作过程;CCD 的工作过程;这一过程存在着以下问题： 当一个像素聚集过多的电荷后，就会出现电荷溢出 溢出的电荷会跑到相临的像素势阱里去。这样电量 就不能如实反映原物。 要避免这种情况发生的方法： A 把桶做大些 B 减少测量时间 C 把满的水倒出一些 D 做个导流管，让溢出的水流到地上去，不要流到其他 桶里 ;对应的方法：; 当一个CCD芯片感光完毕后，每个像素所转换的电荷包就按照一行的方向转移出CCD感光区域，以为下一次感光释放空间。;为实现信号电荷的转换： 1、必须使MOS电容阵列的排列足够紧密，以致相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合。 2、控制相邻MOS电容栅极电压高低调节势阱深浅，使信号电荷由势阱浅处流向势阱深处。 3、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 ;CCD 的工作过程;2.3 CCD的电荷耦合 1.电荷传输原理 注：①图中一个单元下 有三个电极 ②每个电极的时钟一个周期将本单元的电荷移向下个单元;三相CCD的电荷在三相交叠驱动脉冲的作用下，能以一定的方向逐单元地转移； CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地从一个电极下转移到相邻电极下。;2.3 CCD的电荷耦合 1.电荷传输原理 电荷耦合就是电荷转移。 通过将一定规则的变化的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动。 通常把CCD电极分为几组，每一组称为一相，并施加同样的时钟脉冲。 电荷耦合：移位寄存器中电荷在外加栅压有序的变化下，从一个电极的势阱向下一个电极下的势阱