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;;;;;;; 6.2 随机存储器（RAM）;;图6.2.11 DRAM 2116结构框及引脚;; 例6.3.1 给出图6.3.2中存储矩阵MOS管浮栅上的有无电荷情况，如表6.3.1第3列所示，试在表6.3.1 右边写出存储矩阵的存储数据情况。
解：图6.3.2存储矩阵中的MOS管的浮栅是实框表示有电荷存在，当字线为高电平（正常的电压）时，MOS 管不导通，对应的数据线输出高电平“1”。而存储矩阵中的MOS管的浮栅是空框表示无电荷存在，当字线为高电平（正常的电压）时，MOS管导通，对应的数据线输出低电平“0”。如当地址码A3A2A1A0＝0000时，通过地址译码器，使字线P0＝1，将字线P0上的MOS管存储电荷的顺序是“有无有有有有无无”，对应的三态输出缓冲电路的数据D0～D7即十进制数据为188，填入表6.3.1的最右边的两列。若改变地址码A3A2A1A0时，则选中的字线不同，将输出不同的存储数据。表6.3.1是地址对应的字线、浮栅电荷???及字线上的存储数据。;表6.3.1 图6.3.2数据图; 例6.3.2 用EPROM8K×8的2764扩展为16K×16的存储器。
解：(1)显然字的容量不满足要求，需要将字线扩展1倍，需要增加1片2764。并用非门的输入、输出信号分别控制两片2764的片选信号E，其他信号并接。
（2）数据位的容量同样也不满足要求，需要将位线加倍扩展，再增加1倍（两片）2764。在步骤(1)的基础上，重新排列数据信号，原数据信号排列不变，新增的两片数据线数据排为D8～D15，使数据线由8位扩为16位，其他信号全部并接。
连接的扩展为16K×16的存储器如图6.3.4所示。;图6.3.4 EPROM 2764地址位、数据位扩展;;
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