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1.第一章常用半导体器件(二)教程
结型场效应管
Junction Field Effect Transistor;概 述;? 结型场效应管结构;一.结型场效应管的工作原理;uGS=UGS(off)
夹断状态
iD=0;P+;预夹断;出现预夹断后，电流iD由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随uDS的增加而增加，呈恒流特性。;（1）当uDS增大，但仍使uGD UGS(off)，即uDS uGS- UGS(off)，未出现夹断，对应于不同的uGS，d-s间等效成不同阻值的电阻；;iD=f（uDS）∣uGS=C; ; iD=f（uGS）∣uDS=C ;恒流区:;结型场效应管;1.4.2 MOS场效应管; N沟道增强型MOS场效应管结构;1. N沟道增强型MOS场效应管工作原理;（3）漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 ; 当uDS增加到使uGD=UGS(th)时，;uGS=6V;(2) 恒流区：
该区内，uGS一定，iD基本不随uDS变化而变。;uGS=6V;在恒流区，iD与uGS的关系为;N沟道耗尽??MOS场效应管结构;耗尽型MOS管;2. N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线; 转移特性曲线;各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线;绝缘栅场效应管;根据输出曲线，判断管子类型。;例2：; uI为10V：若在恒流区;1.4.3 场效应管的主要参数;场效应管的直流参数; ;1．最大漏极电流IDM：指管子在工作时允许的最大
漏极电流； ; 1. R场 R晶；
2. 温度稳定性：场效应管晶体管
3. 噪声系数：NF场NF晶；
4. 种类：场效应管晶体管；
5. 集成化程度：场效应管晶体管；
6. D、S可互换，C、E不可互换。;小 结;作业：
1.14， 1.15
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