1半导体物理与器件-复习大纲教程.pptxVIP

中北大学 梁庭 2013 09 半导体物理与器件 绪论、第一章 什么是半导体 P型和N型，理论和技术 半导体科学和技术的发展史 半导体材料 固体晶格基本知识 硅的体原子密度是多少？ 金刚石结构、闪锌矿结构 半导体中的缺陷和杂质 半导体的纯度？ 对加工工艺环境的要求？ 半导体(semiconductor)，顾名思义就是指导电性介于导体与绝缘体的物质 暗含假设：仅电特性变化，其他物、化特性几乎不变 半导体的特殊性 杂质 第二章 量子力学初步 量子力学的基本原理 能量量子化；波粒二相性；不确定原理 薛定谔波动方程 无限深势阱；隧道效应 单电子原子 单电子原子中的能级量子化 第三章 固体量子理论初步 能带理论——半导体理论的基石 共有化运动；单电子近似；固体物理基本知识 布里渊区；E-k能带图知识； 固体中电的传导——能带理论的初步应用 满带、空带、半满带；有效质量；空穴； 金属、绝缘体与半导体； 能带的三维扩展 直接带隙、间接带隙； 状态密度函数 K空间量子态密度；等能面； 统计力学 费米分布函数；玻尔兹曼近似条件； 为第4章讨论载流子浓度打下基础； 载流子浓度=∫（状态密度×分布函数）dE 第三章 固体量子理论初步 7 当EVEEC时，为禁带（带隙），在此能量区间g(E)=0导带中电子的态密度分布函数gC(E)和价带中空穴的态密度分布函数gV(E)随着能量E的变化关系如右图所示，当电子的态密度有效质量与空穴的态密度有效质量相等时，二者则关于禁带中心线相对称。例3.3 P.62 第三章 固体量子理论初步 8 麦克斯韦－玻尔兹曼分布近似：当E−EFkT时，则有： 第四章 平衡半导体 半导体中的载流子 热平衡载流子浓度计算方法； 掺杂原子与能级 非本征半导体 电中性状态 费米能级位置 对于本征半导体，费米能级位于禁带中心（附近） 费米能级的位置需保证电子和空穴浓度的相等 如果电子和空穴的有效质量相同，状态密度函数关于禁带对称。 对于普通的半导体（Si）来说，禁带宽度的一半，远大于kT（~21kT），从而导带电子和价带空穴的分布可用波尔兹曼近似来代替 半导体中的载流子 本征载流子浓度和温度、禁带宽度的关系 禁带宽度Eg越大，本征载流子浓度越低 禁带宽度Eg越大，本征载流子浓度越低 半导体中的载流子 为什么要掺杂？ 半导体的导电性强烈地随掺杂而变化 硅中的施主杂质与受主杂质能级 Ec Ev Ed Ec Ev Ed 施主杂质电离，n型半导体 受主杂质电离，p型半导体 掺杂原子与能级 掺入施主杂质，费米能级向上（导带）移动，导带电子浓度增加，空穴浓度减少 过程：施主电子热激发跃迁到导带增加导带电子浓度；施主电子跃迁到价带与空穴复合，减少空穴浓度；施主原子改变费米能级位置，导致重新分布 非本征半导体 掺入受主杂质，费米能级向下（价带）移动，导带电子浓度减少，空穴浓度增加 过程：价带电子热激发到受主能级产生空穴，增加空穴浓度；导带电子跃迁到受主能级减少导带电子浓度；受主原子改变费米能级位置，导致重新分布 非本征半导体 载流子浓度n0和p0的公式： 只要满足玻尔兹曼近似条件，该公式即可成立 只要满足玻尔兹曼近似条件，n0p0的乘积依然为本征载流子浓度（和材料性质有关，掺杂无关）的平方。（虽然在这里本征载流子很少） 例4.5直观地说明了费米能级的移动，对载流子浓度造成的影响：费米能级抬高了约0.3eV，则电子浓度变为本征浓度的100000倍。 非本征半导体 载流子浓度n0、p0的另一种表达方式： 同样地： EFEFi电子浓度超过本征载流子浓度； EFEFi空穴浓度超过本征载流子浓度 非本征半导体 发生简并的条件 大量掺杂 温度的影响（低温简并） 简并系统的特点： 杂质未完全电离 杂质能级相互交叠分裂成能带，甚至可能与带边相交叠。杂质上未电离电子也可发生共有化运动参与导电。 从费米积分曲线上可以看出当ηF-2时为直线，即玻尔兹曼近似成立 非本征半导体 电中性条件 在平衡条件下，补偿半导体中存在着导带电子，价带空穴，还有离化的带电杂质离子。但是作为一个整体，半导体处于电中性状态。因而有： 其中，n0:导带电子浓度；p0：价带空穴浓度。nd是施主中电子密度；Nd+代表离化的施主杂质浓度；pa：受主中的空穴密度；Na-：离化的受主杂质浓度。 电中性状态 低温未完全电离区 完全电离区 （饱和电离区） 非本征区 本征激发区 100K左右杂质即可完全电离； 非本征区的电子浓度近似等于掺杂浓度 随着掺杂浓度的增加，本征激发区域的温度会增高 例4.12 当掺杂为1.39×1015cm-3时，在550K的情况下，本征载流子浓度不超过总浓度的5%。 载流子浓度、掺杂浓度、费米能级之间的关系 载流子浓度与费米能级之间的关系 载流子浓度与掺杂浓度之