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2017-05-04 发布于四川
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11MOSFET基础[MOSFET工作原理频率CMOS]

11.3 MOSFET基本工作原理;11.3 MOSFET原理;11.3 MOSFET原理 MOSFET结构;11.3 MOSFET原理 MOSFET分类(1);11.3 MOSFET原理 MOSFET分类(2);11.3 MOSFET原理 MOSFET分类(3);增强型：栅压为0时不导通 N沟（正电压开启 “1”导通） P沟（负电压开启 “0”导通）;11.3.2 N 沟道增强型 MOS 场效应管工作原理;(2) VGS 0逐渐增大; 阈值电压：使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压。用VT表示。;2. VDS对导电沟道的影响(VGSVT);3 . N 沟道增强型 MOS 场效应管的特性曲线;VT ;4. N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;ID/mA;种类 ;;11.3 MOSFET原理 I-V特性:基本假设;电流密度: (漂移电流密度为);;高斯定理;;11.3 MOSFET原理 I-V特性:反型层电荷与电场;11.3 MOSFET原理 I-V特性:线性区与饱和区;11.3 MOSFET原理 μ和VT的测试提取方法;11.3 MOSFET原理 p沟增强型MOSFET的I-V特性;11.3 MOSFET原理跨导(晶体管增益):模型;小节内??;11.3 MOSFET原理衬底偏置效应(1);11.3 MOSFET原理衬底偏置效应(2)能带图;11.3 MOSFET原理衬底偏置效应(3)现象;11.3 MOSFET原理衬底偏置效应(4)阈值电压;小节内容; 11.4频率限制特性交流小信号参数;11.4 频率限制特性完整的小信号等效电路;11.4 频率限制特性简化的小信号等效电路;11.4 频率限制特性 MOSFET频率限制因素;11.4 频率限制特性电流-频率关系;;11.4 频率限制特截止频率推导;11.5 CMOS技术什么是CMOS？;11.6 小结 1;11.6 小结 2;*