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电池片原理及工艺培训;培训大纲;一：制绒;硅片表面沾污主要包括： 有机杂质沾污 颗粒沾污 金属离子沾污 ;单晶硅;表面损伤层的危害 表面损伤层如果去除不净，将会导致残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除，这些都会增加硅片的表面复合速率，严重影响电池片的效率。 损伤层的去除方法 就目前线切割技术来说，一般硅片表面的损伤层厚度（双面）保持在10um，通过硅片的减薄量来衡量。对于单晶硅片，通常采用粗抛或细抛的方法来消除。，但由于现在市场上的硅片普遍较薄所以，粗抛的方法一般不会采用。我们目前单晶制绒的工艺，制绒前的高温稀碱超声就是细抛。对于多晶硅片，通常都会在制绒的同时已经对损伤层进行了去除，单晶有时候也是采用这样的方法的。 ; 硅片表面的织构化;依靠表面金字塔形的方锥结构,对光进行多次反射,不 仅减少了反射损失,而且改变了光在硅中的前进方向, 延长了光程,增加了光生载流子的产量；曲折的绒面 又增加了p-n结面积,从而增加对光生载流子的收集 率；并改善了电池的红光响应。; 硅片表面的织构化; 制绒工序常见问题; 基本解决方法;二：扩散;置换扩散;间隙扩散;半导体材料特性;多余电子;扩散的应用;太阳电池中的磷扩散;扩散的目的;Date;扩散示意图;磷扩散基本原理;TCA清洗原理;POCl3的特性;注意事项：;工艺调整;扩散的影响因素;三：刻蚀;刻蚀原理;Date;等离子刻蚀的机理;等离子刻蚀所用的气体主要为CF4、O2、N2，CF4主要是提供一些游离的中性基团或离子如CF4、CF3、CF2、CF、C、F或它们的混合气体，这些粒子在电场的作用下轰击硅片刻蚀部位，并发生反应。 O2的作用主要是提高刻蚀的速度；N2的目的主要是起到稀释CF4、调节反应压力、带走反应气体和尾气的作用。 它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。;四：清洗;基本原理;五：PECVD;PECVD的起源与发展;直接式PECVD设备;SiNx的作用;减反射作用;d;钝化作用;;屏蔽金属离子的作用;工艺条件对SiNx性质的影响;六：印刷及烧结;6.1 丝网印刷;6.2 丝??印刷原理 ;6.3 烧结;七：测试;太阳光谱;7.2 太阳电池等效电路;7.3 测试参数; ; ; ; ; ; ; ;Rs对EFF的影响;Rsh对EFF的影响;外观分选;