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CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器 第３３卷第６期 ２０１４年１２月 红外与毫米波学报 Ｊ．Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｖ０１．３３，Ｎｏ．６Ｄｅｃｅｍｂｅｒ，２０１４ Ｍｉｌｌｉｍ．Ｗａｖｅｓ 文章编号：１００１—９０１４（２０１４）０６—０５８４—０７ ＤＯＩ：１０．３７２４／ＳＰ．Ｊ．１０１０．２０１４．００５８４ Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ—ｗａｖｅ ｌｏｗｐｏｗｅｒ ＵＷＢＣＭＯＳｃｏｍｍｏｎ－ｇａｔｅ ｌｏｗ－ｎｏｉｓｅａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｆａ—Ｅｎ，ＬＩＺｈｕ ＹＡＮＧＧｅ—Ｌｉａｎｇ， （Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ＷＡＮＧＺｈｉ—Ｇｏｎｇ＋，ＬＩＺｈｉ—Ｑｕｎ，ＬＩＱｉｎ，ＬＩＵ ｏｆ ＲＦ一＆ＯＥ—ＩＣｓ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） ｓｉｎｇｌｅ—ｅｎｄｅｄｃｏｍ— ｓｔａｎｄａｒｄ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｐｒｅｓｅｎｔｓ ａｌｌ Ｕｌｔｒａ—ｗｉｄｅｂａｎｄ（ＵＷＢ）ｌｏｗ—ｎｏｉｓｅａｍｐｌｉｆｉｅｒ（ＬＮＡ）ｂａｓｅｄ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ．Ｔｈｅ ｏｎ ａ ａ ｍｏｎ—ｇａｔｅ（ＣＧ）ｉｎｃａｓｃａｄｅ、Ⅳｉｔｈ ｃａｓｃｏｄｅ ｐｒｏｐｏｓｅｄＬＮＡｗａｓｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｂｙ ｔｏ ９０一ｎｍＲＦ ＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｔｈｅｍｅａｓｕｒｅｄｆｉａｔｇａｉｎｉｓｍｏｒｅｔｈａｎ１０ｄＢｆｒｏｍ２８．５ １５ＧＨｚｆｒｏｍ２７ｔｏ４２ＧＨｚｗｈｉｃｈ ｃｏｖｅｒｓ ３９ ＧＨｚ．Ｔｈｅ一３ ｏｖｅｒ ｄＢｂａｎｄｗｉｄｔｈｉｓ ４．２ ａｌｍｏｓｔｔｈｅｅｎｔｉｒｅＫａｂａｎｄ．Ｔｈｅｍｉｎｉｍｕｍｎｏｉｓｅ ｆｉｇｕｒｅ（ＮＦ）ｉｓ ｄＢ，ａｎｄ ｔｈｅａｖｅｒａｇｅＮＦｉｓ５，１ｄＢｗｉｔｈｉｎｔｈｅ２７－４２ＧＨｚｒａｎｇｅ．ＴｈｅＳ１１ｉｓｂｅｔｔｅｒｔｈａｎ一１１ｄＢＴｈｅｉｎｐｕｔ３ｒｄ—ｏｒｄｅｒｉｎｔｅｒｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ｃｕｉｔ ｉｓ ａｓ ｔｈｅｏｖｅｒａｌｌｔｅｓｔｉｎｇｂａｎｄ． ｐｏｉｎｔ（ＩＩＰ３）ｉｓ＋２ ａｒｅａ ｄＢｍａｔ４０ ＧＨｚ．Ｔｈｅ ｘ ＤＣｐｏｗｅｒｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｗｈｏｌｅｃｉｒ— ｌｏｗ ａｓ ５．３ ｍＷ．Ｔｈｅ ｃｈｉｐｏｃｃｕｐｉｅｓａｎ ｏｆ０．５８ｍｎｌ ０．４８ｍｉｌｌｉｎｃｌｕｄｉｎｇａｌｌｐａｄｓ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ—ｗａｖｅ，ｗｉｄｅ—ｂａｎｄ，ＣＭＯＳ，ｃｏｍｍｏｎ—ｇａｔｅ（ＣＧ），ｌｏｗ—ｎｏｉｓｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ（ＬＮＡ），ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ（ＩＣ） ＰＡＣＳ：０７．５７．Ｋｐ。８４。４０．一ｘ ＣＭＯＳ毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器 杨格亮， 王志功＋， 李智群， 李 芹， 刘法恩， 李 竹 （东南大学射频与光电集成电路研究所，江苏南京２１００９６） 摘要：陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器（ＬＮＡ）．该ＬＮＡ用标准９０一ｎｍＲＦＣＭＯＳ工艺实现并具有如下特征：在２８．５—３９ＧＨｚ频段内测得的平坦增益大于１０ｄＢ；一３ｄＢ带宽从２７— ４２ ＧＨｚ达到了１５ＧＨｚ，这几乎覆盖了整个Ｋａ带；最小噪声系数（ＮＦ）为４．２ｄＢ，平均ＮＦ在２７～４２ＧＨｚ频段 ｄＢ．４０ 内为５．１ｄＢ；ｓ。在整个测试频段内小于一１１ＧＨｚ处输入三阶交调点（ＩＩＰ３）的测试值为＋２ｄＢｍ．整个 ｍｍ×０．４８ｍｍ． 电路的直流功耗为５．３ｍｗ．包括焊盘在内的芯片面积为０．５８ 关键词：毫米波；宽带；互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）；共栅；低噪声放大器（ＬＮＡ）；集成电路（１Ｃ）中图分类号：ＴＮ４ 文献标识码：Ａ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｗｉｒｅｌｅｓｓｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｄｅ— ｍａｎｄｓｆｕｔｕｒｅＣＭＯＳＩＣｓｔｈａｔｔｒａｎｓｍｉｔａｎｄｒ