第9章超大规模集成电路(VLSI)离子注入.docVIP

第9章超大规模集成电路(VLSI)离子注入 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 第九章 第九章 超大规模集成电路（超大规模集成电路（VLSI）VLSI）离子注入 离子注入 离子注入是将高能带电原子或分子直接掺入衬底的工艺。大多数离子注入机的加速能量范围在10～200千电子伏特。（当然也有少数离子注入机使用高达几百万电子伏特的加速能量）。在超大规模集成电路的生产过程中，离子注入机基本上是用来把掺杂离子（通常是有选择性的）加入到硅片表面。在这方面离子注入超出化学掺杂（扩散）的优势，导致了它在越来越多的应用中逐渐取代了扩散掺杂。为了讨论这个重要而又复杂的技术，我们有必要在开头时确定出一个成功的离子注入工艺所需要达到的一些目标。这将让读者可以知道我们所需要讨论的方面。 离子注入工艺的总体目标是：将所需要的元素原子掺入目标材料（例如，在超大规模集成电路生产中，掺入单晶硅衬底）。为此，要达到如下的一些目标： 1) 注入元素必须达到指定数量； 2) 注入元素必须准确地停留在表面以下指定深度； 3) 注入必须限制在衬底的指定区域； 4) 需要时，应该可以电激活注入掺杂元素； 5) 尽量减少注入过程中对硅的晶体结构的改变。 为了达到以上的目标，必需满足以下注入工艺的几个方面： a) 为达到目标１，设备必需能够精确地注入与监测注入元素的数量； b) 为达到目标２，模型必需能够预测在注入与退火之后离子在注入层中的情况。这样的模型还必需能准确地描述在不同的注入元素时（例：硼、磷、砷、锑），不同能量时，不同掺杂时（例：每立方厘米注入离子数），不同的衬底结 1 真空吸笔‖真空吸笔‖理片机‖理片机‖倒片机‖倒片机‖金属片架‖金属片架‖取舟器石英舟/取舟器石英舟/取舟器‖取舟器‖外延石英钟罩‖外延石英钟罩‖定制工具‖定制工具‖净花及防静电用品 净花及防静电用品 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 构（例：无定形物质或单晶〔包括不同晶向〕），以及在硅衬底上的各种薄膜结构的影响； c) 为满足目标３，必需有足够多的掩蔽结构来阻挡注入； d) 为达到目标４，我们需要知道在硅晶格中注入的原子是如何电激活 的； e) 为达到目标５，必需有一个模型能够描述注入是如何影响晶格（包括 2 真空吸笔‖真空吸笔‖理片机‖理片机‖倒片机‖倒片机‖金属片架‖金属片架‖取舟器石英舟/取舟器石英舟/取舟器‖取舟器‖外延石英钟罩‖外延石英钟罩‖定制工具‖定制工具‖净花及防静电用品 净花及防静电用品 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 这里qi是每个离子的电量(通常等于一个电荷的电量：1.6x10-19库仑)。 离子注入的优点（离子注入的优点（与缺点） 优点： －最重要的优点：能够精确地控制注入掺杂到衬底的离子数（例如，误差小于±3 ％），掺杂浓度控制在1015～1018cm-3范围，显然优于化学扩散技术。 3 真空吸笔‖真空吸笔‖理片机‖理片机‖倒片机‖倒片机‖金属片架‖金属片架‖取舟器石英舟/取舟器石英舟/取舟器‖取舟器‖外延石英钟罩‖外延石英钟罩‖定制工具‖定制工具‖净花及防静电用品 净花及防静电用品 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 －注入衬底的杂质比扩散掺杂工艺有更小的横向干扰，杂质横向迁移的减少使器 件尺寸得到进一步减小。 －离子注入机的离子筛选功能使掺杂离子变得非常纯净，即使在离子源不是非常 纯净的情况下。 －一个离子注入机可以用于注入不同的元素，而元素之间的污染非常小。但记住， 理论上这是个优点，但在许多注入机中一些污染仍然存在。新型的离子注入机正为减小这个问题而进行设备技术革新。 －通过注入穿透表面层（如，二氧化硅）离子注入机可以将原子射入半导体，通 过这种技术可以来调节MOS管的阈值电压，这也是其他工艺所难以达到的。表面层也可以用来作为保护层，防止金属和其他掺杂在注入过程中对注入离子的污染。 －对硅中注入离子的分布预测与实验数据非常接近（例,对低能重离子的预测与 实际的误差只有±10％,而对高能轻离子误差仅有±2％）。 －不同的掺杂曲线可以用多注入重叠地作出。 －在有些情况下也可以形成突变结。 －有许多材