第10章 铝薄膜和物理气相淀积应用于超大规模集成电路.docVIP

第10章 铝薄膜和物理气相淀积应用于超大规模集成电路 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 第十章 第十章 铝薄膜和物理气相淀积应用于超大规模集成电路 铝薄膜和物理气相淀积应用于超大规模集成电路 这章被分为四个主题涉及到VLSI互连结构的形成。它们是： 1.铝(和铝合金)薄膜在VLSI中的特性。 这部分考虑了这种薄膜在VLSI中应用的优点和局限，不管怎样，必需指出，许多 关系到铝的生产的工艺也在这章的其他地方(例如，用蒸发和溅射淀积铝膜)进行了讨论，或者在这册书的其他章节(例如，铝的湿刻在第15章)。有许多问题关联到铝薄膜应用也在这篇文章的其他部分，包括(A)台阶覆盖(这章)；(B)淀积膜中混入气体的影响(这章)；(C)电迁移(第二册)；(D)铝薄膜的小丘和它们的排除(第二册)；(E)硅接触的形成，包括尖峰，接触电迁移失效和接触结构/势垒层(这章和第二册)。 2.PVD的溅射。 关于溅射的讨论是非常广泛的，因为它是VLSI应用中主要的PVD方式。溅射覆盖以下几个方面：(A)辉光放电物理；(B)溅射物理；(C)溅射膜的淀积动力学；(D)溅射设备配置(直流、射频和磁控管)；(E)大批地适用于微电子应用的溅射设备；(F)溅射淀积工艺问题。 3.PVD的蒸发。 这部分没有详细叙述，因为蒸发不象溅射那样在VLSI中应用那么广泛。 1 真空吸笔‖真空吸笔‖理片机‖理片机‖倒片机‖倒片机‖金属片架‖金属片架‖取舟器石英舟/取舟器石英舟/取舟器‖取舟器‖外延石英钟罩‖外延石英钟罩‖定制工具‖定制工具‖净花及防静电用品 净花及防静电用品 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 4.不透明薄膜(特别是金属的)厚度测定。 既然这章的主题是PVD，那么应该解释一下概念，介绍一下PVD工艺中常见的特点，所有的PVD工艺都应该按下面连续的步骤进行： (1)要被淀积的材料(固体或液体源)被物理变换为气态； (2)蒸气被传输通过一块被降压的区域(从源到衬底)； (3)蒸气凝积在衬底上形成薄膜。 气态的转换(步骤1)由加热(在蒸发淀积中)，或者通过动量转移物理撞击出表面原子(在溅射淀积中)。这步将在文章中重点注意，因为一些膜凝结和形成方面的问题在先前几章关于薄膜，外延和CVD中讨论过了。另外值得注意的是用于描述PVD工艺的概念，诸如真空压力，平均自由程，撞击速率，单层时间，蒸气压力，分子流和黏性流，它们在第三章中出现过。 铝薄膜用于VLSI 铝是从事于生产硅固态的三种元素中的第三种材料(其他两种是硅和二氧化硅)。铝主要适用于薄膜形成，它的作用犹如一种可以互连器件结构的材料形成在硅衬底上。它已成为这种应用中最重要的材料。因为它具有低电阻率和与其他两种基质衬底的可共存性。例如铝薄膜与二氧化硅黏附很好。(在处理烧结金属和硅接触一步中，铝在SiO2顶上形成Al2O3薄层在Al和SiO2界面上，这样可促进好的黏附性。)硅器件制造中最感兴趣的铝薄膜特性例在表1中。铝合金也常用于微电子应用中.包括： a)Al-wt%Si；b)Al-2wtCu%；c)Al-4wt%Cu；d)Al-1wt%Si-2wt%Cu； e)Al-1.2wt%Si-0.15wt%Ti。注意铝相对低的熔点(660°C)和铝硅低共熔温度(577°C)，限制了当铝薄膜淀积后的工艺温度的最大值。 铝薄膜淀积象多晶格材料一样，通常在0.5μm-1.5μm厚度之间。早期的微电子器件用蒸发淀积纯铝，铝－硅，或铝铜合金，但是VLSI(和其他蒸发的限制)对合金构成严格的要求使溅射成为铝膜占统治地位的技术。磁电子溅射的发展(这允许铝按1μm/min的速率淀积)，更减少了蒸发镀铝膜的应用。铝合金比纯铝被更频繁的运用，因为它们拥有某种互连需求更好的特性，包括优越的接触形成和更好的电迁移电阻。下面是对这些主题的简单介绍，但读者可以直接看第三册进行更详细的讨论。 2 真空吸笔‖真空吸笔‖理片机‖理片机‖倒片机‖倒片机‖金属片架‖金属片架‖取舟器石英舟/取舟器石英舟/取舟器‖取舟器‖外延石英钟罩‖外延石英钟罩‖定制工具‖定制工具‖净花及防静电用品 净花及防静电用品 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 用铝－硅代替纯铝阻止了当纯铝和硅的界面被加热时发生的尖结问题。硅在铝中的可熔性(图1)随温度增加而上升(例如大约每400°C上