第七章_场致发射显示FED探究.ppt

第七章 场致发射显示FED;一、概述;各类电视机功耗的比较 ;FED基本结构和原理;;FED中使用的场致发射阵列从工作原理上可分为：金属场致发射、半导体场致发射、热助内场致发射 1．金属表面的场致发射方程 金属表面的场致发射方程在以下假说条件下得出： A、金属内自由电子的能量分布服从费米分布 B、金属板表面是理想平面，忽略其原子尺寸的不规则性 C、表面势垒由电镜像力产生 D、金属表面逸出功分布均匀;T=0K时金属场致发射定量方程为：;对F-N公式作如下代换;对数处理，可得：;其中;发射电流与功函数、电场强度密切相关，所以要获得大的场致发射电流，可以采取降低发射材料逸出功和增加发射体表面电场的方法。 低逸出功材料化学性质活泼，不耐微尖在发射电流时引起的高温，所以实际实用的发射材料都是耐熔材料，如W、Mo、Ta、Zr、Nb等。 要获得有实用意义的场致发射电流，对于Mo这类材料，表面电场应达到107V/cm 只有借助尖端效应才能获得如此高的表面电场;制成具有一定发射面积和具有可实用发射电流密度的场致发射阴极必须解决两个工艺问题： （1）需要一个均匀分布，且密度足够高的微尖阵列 （2）要有近距低压引出场致发射电流的电极 微尖型场致发射阵列有两种：Mo微尖和硅Si微尖;钼微尖的制造工艺;制作流程如下： （1）在玻璃板上先后蒸上100nmMo层和200um非晶硅电阻层，并光刻形成电极 （2）沉积1umSiO2绝缘层和100umMo栅极，并光刻成列电极 （3）涂光刻胶，并形成栅孔，干刻除去栅孔上的Mo层 （4）进一步干刻除去栅孔下的SiO2层，直到电阻层为止，除去表面光刻胶 （5）在垂直方向用电子束蒸发钼，同时在与水平表面成15度的方向上蒸铝 （6）蒸发的钼附着在栅孔边缘，使栅孔不断缩小，使透过栅孔的Mo蒸气形成的钼柱逐渐变细，直至栅孔被封死，钼微尖电极在底电极上形成 （7）将铝牺牲层连同其上的Mo层用NaOH溶液除去，形成一个能行、列选址的Mo微尖阵列;;FED技术难点;支撑间隔材料;真空度的维持;FED体积与表面积之比很大，意味着器件表面积只要有一点出气，真空度就会变得很差。 FED器件封接的漏气率小于1×10-11Torr/s，排气台应该能抽到1??10-8Torr数量级真空度，这样将高牢固度室温消气剂安装在10mm内径的排气管内，基本上可以保证器件存放寿命在2000天以上 FED中，由于结构限制，只能使用锆、钛类型非蒸散型消气剂。 ;FED中的荧光粉