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第二章 衬 底 制 备; §2.1 衬底材料;表1 周期表中用作半导体的元素;元素半导体;元素半导体;二、对衬底材料的要求 ;二、对衬底材料的要求;三、晶体结构;无定形结构;多晶结构;单晶结构;单晶硅的基本单元;100晶向;111晶向;110晶向;100晶面;111晶面;100晶面刻蚀凹坑;111晶面刻蚀凹坑;四、起始材料--石英岩（高纯度硅砂-- SiO2） ;§2.2 晶体生长 ; 柴可拉斯基拉晶仪;;1.拉晶仪;直拉(CZ)法生长单晶;2.拉晶过程;2.拉晶过程;2.拉晶过程;二、悬浮区熔法 （float zone， FZ法）; ;三、水平区熔法（布里吉曼法） ---GaAs单晶 ;直拉法 vs 区熔法 ;§2.3 衬底制备;一、硅锭整型处理;二、晶体定向 ;二、晶体定向;三、晶面标识 ;三、晶面标识;四、晶片加工（参考庄同曾）;四、晶片加工;四、晶片加工;四、晶片加工、;四、晶片加工;三、??片加工;三、晶片加工;三、晶片加工;200mm硅圆片厚度和表面粗糙度的变化;小结;附录 中国多晶硅公司;
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