模拟电子技术基础课件--第2章.ppt

2.1 晶体管;2.1　晶体管; (Semiconductor Transistor);二﹑分类：; 2.1.2 晶体管的三种连接方式 根据所选择的公共端e、c、b的不同，晶体管在电路中分别有三种不同的连接方式 ; 2.1.3 晶体管的工作状态 工作状态可分为三种： 放大状态 饱和状态 截止状态 1. 放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置 ） ;发射结正偏向基区注入多子 电子，形成发射极电流 IE。;I CN;（2）晶体管的电流分配关系;; ② 共基直流电流放大系数 ; (3) 晶体管的放大作用;晶体管的放大作用举例 现在用图2–3来说明在共基接法下晶体管的放大作用。若在图中VEE上叠加一幅度为20mV的正弦电压Δui，则正向发射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加电压呈指数关系，所以发射极会产生一个较大的注入电流ΔiE，例如为1mA，而IC= IE，（当 =0.98时， ΔiC=0.98mA）; ; ; ; ; 电流放大作用的实质 是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此，晶体管称为电流控制型器件。 定义 ：保持工作点处UCE不变，集电极电流变化量与基极电流变化量之比，称为共发射极交流电流放大系数。即 ; 定义 ：保持工作点处UCB不变，集电极电流变化量与发 射极电流变化量之比，称为共基极交流电流放大系数。 即 ; 2. 饱和状态 (发射结正向偏置、集电结正向偏置); 3. 截止状态 （发射结反向偏置、集电结反向偏置） 晶体管发射结反向偏置或零偏(UBE≤0)，集电结反向偏置(UBC＜0），不利于发射极多数载流子的扩散运动，发射极电流几乎为零，此时，集电极流过反向饱和电流IC=ICBO， 基极电流： IB= –ICBO， ICBO很小可忽略不计，认为晶体管处于截止状态。 ; ; 分析 ① 工作于放大状态的晶体管，发射结正向偏置、集电结反 向偏置，有：NPN管UC＞UB＞UE，PNP管UC＜UB＜UE 基极电位总是居中，据此可确定基极； ② 硅管UBE的约为0.6~0.8V、锗管的UBE约为0.2~0.4V， 从而可判断出与基极相差这一数值的电极为发射极， 并由这一差值大小判断是硅管还是锗管； ③ 余下一个电极为集电极。 ④ 集电极电位最高的为NPN管，集电极电位最低的为PNP 管。; 【例2-2】 测得工作在放大状态的晶体管两个电极的电流 如下图 所示。 (1) 求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。 (2) 标出e、b、c极，并判断出该管是NPN管还是PNP管。 (3) 若ICBO均为零，试求 及 的值。 【解】：① 晶体管三个电极的电流关系为： 其中 最小、 居中、 最大；② 工作于放大状态时，对于 NPN 管： 流出晶体管， 、 流入晶体管。对于PNP管： 流入晶体 管， 、 流出晶体管。标出的电流方向及管子类型如下：; ; ;一、输入特性; ; 左右，锗管约为0.3V左右。;iC / mA;iC / mA;iC / mA; ; 2.1.5 晶体管的直流模型 ; ;2.1.6 晶体三极管的主要参数;iC / mA;三、极限参数;U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。; ;2.1.7 温度对晶体管参数的影响 ;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。; 【例2-3】 晶体管VT的特性曲线如下图所示，在其上确定PCM、ICEO、U(BR)CEO。在如下电路中，当开关S接在A、B、C三个触点时，判断晶体管VT的工作状态，确定UCE的值。; ; ; (a) 特性曲线求? (b) S接触点A; ; (c) S接触点B (d) S接触点C; ;