5压力检测和仪表.pptVIP

压力检测及仪表 ;３．压力表分类： （按信号转换原理不同）分为以下四类： １）液柱式压力计 　　将被检测压力转换成液柱高度差进行测量的压力计． 　　如：Ｕ形管压力计，斜管压力计等． ２）弹性式压力计 　将被测压力转换成弹性元件变形所引起的位移而进行测量的压力计． 　　如：弹簧管压力计，波纹管压力计，膜盒压力计． ３）电气式压力计 将被测压力转换成电量进行压力测量的压力计。 如：压电式压力计、应变片式压力计、霍尔压力计。 4）活塞式压力计 将被测压力转换成活塞上所加砝码重量进行测量的压力计。它是一种标准型压力计，对其它类型的压力计进行校验。;一．霍尔压力传感器 属于位移式压力传感器，是利用霍尔效应，是将P作用下所产生的弹 性元件的位移信号转变成电势信号来测量压力。 P→弹性元件（变形）??霍尔效应→V（mv）→显示 1）霍尔效应 霍尔片是一块锗半导体薄片。 当霍尔片中流过电流时，电子受磁场力（方向可由左手定则确定）的 作用，其运动方向（与电流方向相反）将发生偏移，使得在“X轴方向的 一个端面上造成电子积累而形成负的表面电荷，而在另一端面上则正电 荷过剩，于是在“X轴方向出现了电场。由于电场的建立，产生了电场 力，电场力阻止电子的偏移。当磁场力与电场力相平衡时，电子积累达 到了动态平衡，这时就建立了稳定的霍尔电势： 式中：RH—霍尔常数（视霍尔片材料、结构而定）;2）霍尔压力传感器 基本结构（如图） a）压力—位移转换部分 霍尔片、弹簧管组成 b）位移—电势转换部分 霍尔片、磁钢及引出线 c）稳压电源 ;二．压电式压力传感器 利用压电材料（功能材料）的压电效应做成的传感器 1）压电效应 压电材料在沿一定方向受到压力或拉力作用时发生变性，并在其表面上产生电荷，去掉力时，又回到原不带电的状态。在蛋形范围内，电荷为： 式中：S—作用面积； K—压电常数 常用压电材料：石英晶体、压电陶瓷（钛酸钡陶瓷；钛酸鉛系列陶瓷） 2）压电式压力传感器 结构：（如图） 压电元件夹于两弹性片之间，一膜片接地，另一膜片通过金属箔和引出线 将电量引出。 特点： 体积小，结构简单，工作可靠；动态质量小，固有频率高，不需外加电源；适应工作频率高的压力测量，范围0~70MPa;输出阻抗高；温度效应较大，环境适应有限。;三．电容式压力传感器 1、原理 将被测压力通过弹性膜片的位移转换为平行板电容器的电容量 平行板电容器电容量为 式中: —平行极板间的介电常数； s—极板的面积； d—平行极板间的距离 电容变换器通常有： a）变间隙式（d） b）变面积式（s） c）变介电常数（E）;2、变间隙式电容压力传感结构： 差动电容的活动极板 感压元件：弹性膜片（弹性稳定性好特殊合金制成，如合氏合金、蒙耐尔合金等）可左右移动约0.1 mm的距离。 固定电极供极板 在弹性膜片左右有两个用玻璃绝缘体磨成的球形凹面，采用真空渡膜法在该表面镀上一层金属薄膜，作为差动电容的固定极板。 弹性膜片位于两固定极板的中央，它与固定极板构成两个测压室，压室填充硅油。;三、压阻式压力传感器 1、原理 基于单晶硅半导体的压阻效应而构成的。 采用单晶硅平膜片为弹性元件，在单晶硅平膜片上利用集成电路工艺， 在单晶硅的特定方向制成扩散压敏电阻。 单晶硅平膜片在微小变形时有良好的弹性特性。当硅片受压后，膜片的 变形使扩散电阻的阻值发生变化。 相对电阻变化为： 式中 Ke —压阻系数； —应力 ; 2、压阻式压力传感器的结构 单晶硅平膜片的扩散电阻通常做成桥式测量电路，相对的桥臂电阻对称布量，电阻变化时，电桥输出电压与膜片所受压力成对应关系。 平膜片在圆形硅杯的底部，硅杯内外两侧分别感受被测压力与参考压力，压差使膜片变形，膜片上的两对电阻的阻值发生变化。 温度效应的影响，一般还可在膜片上沿对压力不敏感的晶向生成一个电阻，这个电阻只感受温度 变化，可接人桥路作为温度补偿电阻．以提高测量精度。;3、特点： 精度高，工作可靠，频率响应高，结构简单；可使用在环境恶劣的条件下，便于实现显示数字化。压阻式压力传感器不仅可以用来测量 压力，稍加改变也可用来测量差压、高度、速度、加速度等参数。 ; 智能型压力（差压）变送器 为满足集散控制系统和现场总线控制系