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NAND flash读写擦除操作 NANDflash读写擦除操作 本文主要介绍SAMSUNG公司的S3C2410处理器和K9F1208NANDflash的读写擦除操作。 一、K9F1208NANDflash芯片介绍 S3C2410处理器集成了8位NANDflash控制器。因NANDflashK9F1208、K9F1G08的数据页大小分别为512B、2KB，在寻址方式上有一定的差异，所以程序代码并不通用。 K9F1208的器件存储容量为64M字节和2048K字节的spare存储区，8位I/O端口采用地址、数据和命令复用的方法。 该器件的引脚图如下所示 该器件的引脚功能描述如下表所示 引脚名称I/O0～I/O7CLEALECE#RE#WE#WP#R/B#VCCVSSN.C 英文描述Datainput/outputsCommandlatchenableAddresslatchenable ChipenableReadenableWriteenableWriteprotectReady/BusyoutputPower(+2.7V~3.6V) GroundNoconnection 描述数据输入输出命令锁存使能地址锁存使能 片选读使能写使能写保护准备好/忙碌输出电源(+2.7V~3.6V) 地空引脚 NANDflash的数据是以bit的方式保存在memorycell。一般一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bitline，形成所谓的byte（X8）/word（X16），这就是NANDdevice的位宽。这些line组成page，page再组织形成一个block。 K9F1208的相关数据如下： 1block=32page；1page=528byte=512byte(mainarea)+16byte(sparearea) 总容量为=4096(block)*32(page/block)*512(byte/page)=64MBNANDflash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。 按照K9F1208的组织方式可以分为4类地址：columnaddress、halfpagepointer、pageaddress、blockaddress。A[0:25]表示数据在64MB空间中的地址。 Columnaddress：表示数据在半页中的地址，大小范围0～255，用A[0:7]表示。 Halfpageaddress：表示半页在整页中的位置，即在0～255空间还是在256～511空间，用A[8]表示。 Pageaddress：表示页在块中的地址，大小范围0～31，用A[9:13]表示。 Blockaddress：表示块在flash中的位置，大小范围为0～4095，用A[14:25]表示。对NANDflash的操作主要包括读操作、写操作、擦除操作、坏块识别和坏块标示等。KF1208由4个操作周期组成，分别为A[0:7]、A[9:16]、A[17:24]、A[25]，具体如下表所示 I/O0 1stcycle2stcycle3stcycle4stcycle A0A9A17A25 I/O1A1A10A18L I/O2A2A11A19L I/O3A3A12A20L I/O4A4A13A21L I/O5A5A14A22L I/O6A6A15A23L I/O7A7A16A24L 1、读操作过程 读操作的过程：?发送读取指令 ?发送第1个周期地址（A0～A7）?发送第2个周期地址（A9～A16）④发送第3个周期地址（A17～A24）⑤发送第4个周期地址（A25）⑥读取数据至页末 K9F1208提供了两个读指令：“0x00”、“0x01”，用于选中上半页还是下半页。为0x00可以将A[8]置为0，为0x01可以将A[8]置为1。 读操作的对象为一个页面，建议从页边界开始读写至页结束。读操作流程图如下所示 2、写操作过程 写操作的过程： ?发送编程指令“0x80” ?发送第1个周期地址（A0～A7） ?发送第2个周期地址（A9～A16） ④发送第3个周期地址（A17～A24） ⑤发送第4个周期地址（A25） ⑥向器件的数据总线发送一个扇区的数据 ⑦发送编程指令“0x10” ⑧发送查询状态命令字“0x70” ⑨读取器件的数据总线，判断I/O6上的值或