氮化镓发光二极管的计算机模拟设计.pdfVIP

绿色照明技术与城市夜景及2008工程建设科技研讨会 氮化镓发光二极管的计算机模拟设计 盛阳·杨猛高盛邱玮曾庆俊陈应时唐为君 Inc．，Canada) (Crosslight 前言 氮化镓作为第三代半导体材料，一直是蓝光发光二极管的主选材料。自从1993年氮化镓 基外延技术被日本突破以后，在全球掀起了氮化镓基蓝光发光二极管产业化的高潮。随着GaN 基发光材料生长和器件研究的迅速发展，高发光效率的GaN基量子阱可见光发光二极管已经 商品化，相应的应用领域的研究迅速扩展。最近几年，人们发现发光二极管的光效率不高的 原因是很大一部分光线在材料中已经被吸收，因此研究者们发明了多种办法来提高二极管的 光线抽取效率，比如优化外延生长工艺n1，提高电流的空间发散圆，采用共振腔结构设计嘲以及 加工出环状结构【41等等。同时，这些器件中不仅包括二维器件，同时也有具备三维结构属性的 器件。由于实验上制作LED样品以及分析这些样品需要很繁琐的过程、较大的成本和较长的 时间，因而理论上对具有不同内部材料结构的器件进行有效的模拟成为必要。 注LED器件开发及理论研究的前沿领域，一直是半导体光电子器件模拟软件行业中的佼佼 者，尤其在模拟激光二极管，发光二极管的量子效应方面更是走在了世界的前列。APSYS是 有限元分析，重点是能带结构和量子力学效应，其包含的各种光学模块使其对光感和光发射 器件的应用领域尤为适用。主要应用于模拟各类硅器件、发光二极管(LED)和有机发光二 器(QWIP)。本文着重介绍APSYS对氮化镓发光二极管的计算机模拟和设计。 l理论基础 APSYS是一个二维仨维器件模拟器，用于自洽地解决泊松方程、电流连续性方程、载流 一29— 绿色照明技术与城市夜景及2008工程建设科技研讨会 子能量传输方程、热传输方程以及标量波方程。其涉及的理论及物理模型如下： 1：多量子阱模型 A)以k．P理论为基础的多量子阱模型； B)结合K．p理论的多能带底有效质量修正； C)量子阱／量子点的多体增益和自发射模型； D)使用能带隙的尾态来精确计算不同种类的光谱展宽； E)包含表面电荷白发极化作用的自洽量子约束和输运模型。 2：粒子输运理论基础 A)包括热载流子的二维／三维粒子扩散漂移方程； B)在漂移扩散模型中包括了量子隧穿效应、量子俘获／逃逸和粒子直接飞跃过程，作为理论 上的量子修正； C)漂移扩散方程中也包含了热传输方程。 3：光抽取 A)利用Green方程瞪1的解析方法能够对光抽取效率进行有效的计算； B)在一些LED设计中，Green方程用来计算共振腔效应； C)使用光线追踪方法计算二维，三维结构中光的抽取以及光强分布。 2 GaAIInN多量子阱LED中的电流溢出效应 图tGaAIlnN多量子阱LED结构 一30— 绿色照明技术与城市夜景及2008工程建设科技研讨会 图2量子阱区域能带图 我们知道，电流的溢出会导致器件发热，我们用这个例子模拟出电流溢出对器件性能的 影响。图1是一个典型的GaAIInN多量子阱LED结构。由图2可以看出，由于禁带宽度较大， 因而发射的光波长会较小。 以下是用APSYS计算出的此结构三个特征曲线图： 绿色照明技术与城市夜景及2008工程建设科技研讨会 蕾嚣震笛茁一■E卫叠aⅢ】 图3特征曲线图 由图3(a)得知，随着电流增加，器件的发光功率不是线性增加，而是有一个极限，同 时由图3(c)看到，随着