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第5章 存储器系统 【学习目标】 本章首先以半导体存储器为对象，在讨论存储器及其基本电路、基本知识的基础上，讨论存储芯片及其与CPU之间的连接和扩充问题。然后，介绍内存技术的发展以及外部存储器（如硬盘、光驱）。最后，介绍存储管理技术（如虚拟存储管理和高速缓存cache技术）。 【学习要求】 存储器的分类、组成及功能。着重理解行选与列选对1位信息的读出。 重点掌握位扩充与地址扩充技术。 理解存储器与CPU的连接方法。 了解内存条技术的发展。 理解存储器系统的分层结构。 理解虚拟存储技术及高速缓存cache技术的原理。 5．1 存储器的分类与组成 计算机的存储器可分为两大类：一类为内部存储器，其基本存储组件多以半导体存储器芯片组成；另一类为外部存储器，多以磁性材料或光学材料制造。 5.1.1 半导体存储器的分类 半导体存储器的分类如图5.2所示。按使用的功能可分为两大类：随机存取存储器RAM（random access memory ）和只读存储器ROM（read only memory）。 5.1.2半导体存储器的组成 半导体存储器的组成框图如图5.3所示。它一般由存储体、地址选择电路、输入输出电路和控制电路组成。 1．存储体 存储体是存储1或0信息的电路实体，它由多个存储单元组成，每个存储单元赋予一个编号，称为地址单元号。 每个存储单元由若干相同的位组成，每个位需要一个存储元件。 地址线数与存储单元数的关系列于表5.1中。 2．地址选择电路 地址选择电路包括地址码缓冲器，地址译码器等。 地址译码器用来对地址码译码。 地址译码方式有两种：单译码方式（或称字结构）；双译码方式（或称重合译码）。 3．读／写电路与控制电路 读／写电路包括读／写放大器、数据缓冲器（三态双向缓冲器）等。它是数据信息输入和输出的通道。 外界对存储器的控制信号有读信号、写信号和片选信号等，通过控制电路以控制存储器的读或写操作以及片选。只有片选信号处于有效状态，存储器才能与外界交换信息。 5.2 随机存取存储器 5.2.1 静态随机存取存储器 1．静态RAM基本存储电路 静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的RS触发器。每一个触发器就构成存储体的一位。 2．静态RAM的组成 静态RAM的结构一般由存储体、译码电路和控制电路组成。一个RAM芯片的存储容量是有限的，需用若干片才能构成一个实用的存储器。这样，地址不同的存储单元，可能处于不同的芯片中。一般，片选信号由地址码的高位译码（通过译码器输出端）产生。 3．静态RAM的读／写过程 1）读出过程 （1） 地址码→ RAM芯片的地址输入端→ X与Y地址译码器译码，产生行选与列选信号，选中某一存储单元，该单元中存储的代码，将出现在I/O电路的输入端。I/O电路对读出的信号进行放大、整形，送至输出缓冲寄存器。 缓冲寄存器一般具有三态控制功能，没有开门控制信号，所存数据还不能送到数据总线DB上。 （2） 在送上地址码的同时，还要送上读／写控制信号和片选信号。 2）写入过程 （1）同上述读出过程（1），先选中相应的存储单元，使其可以进行写操作。 （2）将要写入的数据放在DB上。 （3）加上片选信号及写入信号。这两个有效控制信号打开三态门使DB上的数据进入输入电路，送到存储单元的位线上，从而写入该存储单元。 4．静态RAM芯片举例 常用的Intel 6116是CMOS静态RAM芯片，属双列直插式、24引脚封装。它的存储容量为2K×8位，其引脚及内部结构框图如图5.7所示。 5.2.2 动态随机存取存储器 动态RAM芯片是以MOS管栅极电容是否充有电荷来存储信息的，其基本单元电路一般由四管、三管和单管组成，以三管和单管较为常用。 1．动态基本存储电路 1）三管动态基本存储电路 2）单管动态基本存储电路 2. 动态RAM芯片举例 Intel 2116单管动态RAM芯片的引脚名称 Intel 2116单管动态RAM芯片的内部结构框图 5.3 只读存储器 5.3.1只读存储器存储信息的原理和组成 ROM的存储元件及16×1位的ROM机构图如图所示。 5.3.2 只读存储器的分类 1．不可编程掩模式MOS只读存储器 2．可编程只读存储器 PROM（Programmable ROM） 3．可擦除、可再编程的只读存储器 EPROM（erasable PROM） 5.3.3 常用ROM芯片举例 1．Intel 2716芯片 1）Intel 2716的引脚与内部结构 2716的工作方式 2．Intel 2732芯片 2732 EPROM芯片的容量为4K×8位，采用HNMOS-E（高速NMOS硅栅）工艺制造和双列直插式封装。 5.4 存储器的扩充及其与CPU的连接 5.4.1存储器的扩充 1．位数的扩充