巨磁电阻效应。.ppt

巨磁阻材料简介 高一物理 林炳发 2007年物理诺贝尔奖 看看你的计算机硬盘存储能力有多大，就知道他们的贡献有多大了。 司空见惯的笔记本电脑、MP3、U盘等消费品，居然都闪烁着耀眼的科学光芒。 诺贝尔奖并不总是代表着深奥的理论和艰涩的知识，它往往就在我们身边，在我们不曾留意的日常生活中。 一、什么是巨磁阻效应? 二、它是怎样发现的? 三、产生这种效应的物理机制是什么? 四、 在应用方面有哪些意义和前景? 1.磁电阻效应 材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应。 磁性金属和合金一般都有磁电阻现象。 通常以材料电阻的相对改变量来表示磁电阻的大小, 即用△R/ R( 0) 表示。 △ R = R( B) - R ( 0) 对于传统的铁磁导体, 如Fe、Co 、Ni 及其合金等, 在大多数情况下, 磁电阻效应很小( 约3 %或更低) 2.巨磁阻效应（GMR） 在某种条件下，电阻变化的幅度相当大，比通常磁性金属与合金材料的磁电阻值约高10余倍，称为“巨磁阻效应”。 在磁性材料和非磁性材料相间的多层膜中。 二、巨磁阻效应的发现过程 磁阻效应最初于1856年由开尔文爵士发现。 20 世纪70 年代, 固体物理学家应用纳米技术, 能够制备出不同质地的强磁纳米膜和弱磁纳米膜 。纳米级的薄膜, 其厚度仅有数个原子层。 1988 年, 法国巴黎大学的费尔教授所在的研究小组与德国尤利希研究中心的彼得-格林贝格尔的研究小组分别意外地发现了非常巨大的磁电阻效应。 格林贝格尔的研究小组在最初的工作中只是研究了由铁、铬、铁三层材料组成的结构物质，实验结果显示电阻下降了1.5%。而费尔的研究小组则研究了由铁和铬组成的多层材料，使得电阻下降了50%。 费尔的实验结果。横坐标为磁化强度，纵坐标为磁化时电阻与无磁化时电阻的比值；三条曲线分别显示了三种不同厚度结构的铁、铬薄膜层。 三、巨磁阻效应产生的机制 该效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，物理根源归因于磁性导体中与传导电子的自旋相关的散射。 1、电子 电子有没有自旋？ 2、电子的自旋 根据泡利不相容原理（在一个原子中, 不能有两个或两个以上的电子处在完全相同的量子态）和以及光谱的精细结构（反常塞曼效应），在1925年，不到25岁的年轻大学生乌伦贝克和高斯米提出了电子自旋的大胆假设，认为电子除了有轨道运动以外，还存在着由自身属性所决定的固有运动，称为电子自旋运动。 通常人们会把自旋理解为电子自身的转动，但这种图像是不成立的，理由可归纳如下： 1.迄今为止的实验，未发现电子有尺寸的下限，即电子是没有大小的； 2.如果把电子自旋考虑为刚体绕自身的转动的话，即假设自旋是某种经典的对应，我们解出的角动量量子数只能是整数，因此无法解释偶数条条纹； 3.如果把电子自旋设想为有限大小均匀分布电荷球围绕自身的转动的话，电荷球表面切线速度将超过光速，与相对论矛盾； 英国物理学家N. F. Mot t ( 诺贝尔奖获得者) 指出: 在磁性物质中, 电子和磁性导体中原子的磁撞几率( 自旋相关的散射) 取决于电子自旋和磁性原子磁矩的相对取向, 如果电子的自旋反平行于磁性导体的磁化方向, 其散射就较强, 这些电子的电阻将比平行自旋的电子的电阻来得大。 左面和右面的材料结构相同，两侧是磁性材料薄膜层（红色），中间是非磁性材料薄膜层（蓝色） 自旋电子学 巨磁电阻效应发现的意义及应用 ?费尔和格鲁伯格的系统因为昂贵和复杂仅适用于实验室研究；在GMR的工业产品化进程中一位在美国工作的英国人起了重要作用.他的名字叫斯图亚特·帕金，他发现应用相对简单的阴极镀膜方法构造的GMR系统依然可以很好地工作，而不必构造完美的纳米膜.应用这种技术，在1997年第一块GMR硬盘问世，之后GMR磁头迅速成为硬盘生产的工业标准。巨磁电阻的发现，打开了一扇通向极具价值的科技领域的大门，其中包括数据存贮和磁传感器.如今全世界有数以千计的科学家正致力于磁电子学及其应用的研究. GMR 读出磁头在计算机信息存储中的应用 在98年左右，巨磁阻磁头开始被大量应用于硬盘当中，从那时起，短短的几年时间里，硬盘的容量就从4G提升到了当今的几个T以上。 盘片上涂有磁性物质，这些磁性物质是由无数的“磁畴”组成的，每个磁畴都有S/N两极，像一个小磁铁 。 磁畴 从原子结构来看，铁原子的最外层有两个电子，会因电子自旋而产生强耦合的相互作用。这一相互作用的结果使得许多铁原子的电子自旋磁矩在许多小的区域内整齐地排列起来，形成一个个微小的自发磁化区，称为磁畴。 在无外磁场时，各磁畴的排列是不规则的，各磁畴的磁化方向不同，产生的磁效应相互抵消，整个磁质不呈现磁性。 1.感应磁头 读、写操作都是基于“电磁感应”原理的 。 读取数据时，磁头和盘片发生相对运动，金属切割磁力线，金属中