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微电子工艺课件Cha的pter 11(zhang)
第十一章 淀积—11.4 CVD淀积系统 CVD反应器加热（热壁还是冷壁） LPCVD：反应速度限制；APCVD：质量输运限制 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第十一章 淀积—11.4 CVD淀积系统 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第十一章 淀积—11.4.2 APCVD * 11.4.1 APCVD工艺 化学反应在常压下进行，气流的作用明显。 APCVD的设备比较简单，但是产量低，片内及片间均匀性较差，台阶覆盖能力差，易产生雾状颗粒、粉末等。为提高均匀性，必须提高稀释气体流量，同时降低淀积温度。目前普遍采用 LTCVD（常压下低温化学气相淀积）来淀积 SiO2 和掺杂 SiO2 膜如磷硅玻璃（PSG） 。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第十一章 淀积—11.4.2 APCVD * 1、基本化学反应 稀释的SiH4（硅烷）同过量 O2 反应在热衬底上生长SiO2 ： SiH4+ O2 SiO2 +2H2 稀释的SiH4和PH3（磷烷）同过量O2反应生成磷硅玻璃（PSG），PSG是一种两元玻璃质化合物： (1-x)SiH4+2xPH3+3[O2] (SiO2)1-x(P2O5)x+ [H2] Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第十一章 淀积—11.4.2 APCVD * 2、常压LTCVD工艺特点 （1）温度升高，淀积速率增大，淀积温度选择在400~450℃； （2）SiH4或O2流量增大，淀积速率增大； （3）在保证足够淀积速率下，应选择足够大的稀释气体（N2）流量，避免大量SiO2白色粉末的形成，同时提高均匀性； （4）淀积的 SiO2 或PSG膜均需在700~1000℃温度下（N2 或惰性气体）处理 5~15 min，目的在于提高膜的密度、抗蚀性及介电击穿强度。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第十一章 淀积—11.4.2 APCVD * Wafer Film Reactant gas 2 Reactant gas 1 Inert separator gas (a) Gas-injection type 气体注入类型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第十一章 淀积—11.4.2 APCVD * 通气类型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第十一章 淀积—11.4.2 APCVD * APCVD TEOS-O3好的台阶覆盖性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第十一章 淀积—11.4.2 APCVD 掺杂SiO2 * Planarized Surfac
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