磁滞与摩擦力考虑的奈米定位.doc

磁滯與摩擦力考慮的奈米定位 文／馮榮豐、楊竣翔、韓長富 摘要 基於壓電致動器的使用，使精密定位的能力可從微米級降至奈米級，在如此精密的尺寸下，磁滯現象與摩擦力的非線性行為，對於系統的影響不可輕視。本文主要討論，具奈米定位能力的衝擊力驅動機構(IDM)，當考慮磁滯與摩擦力的行為時，對於定位精度造成的影響。 一、 前言 奈米定位技術被視為支援奈米技術的重要關鍵技術，而一般傳統伺服機構，很難達到如此高精密的定位精度。幸賴諸如壓電材料、、、1~10奈米。壓電性基本上是屬於機械能和電能間，能量轉換的一種現象。本文內容即為介紹，利用壓電元件所構成之長行程移動機構，具有奈米精度定位能力之驅動裝置。該機構乃巧妙地控制壓電元件所產生的衝擊力，能使其具有自走功能，稱之為衝擊力驅動機構(Impact Drive Mechanism, IDM)。 圖一： 衝擊力驅動機構圖。 圖二： 驅動電壓的波形[1]。 二、 緣由 針對利用衝擊力作為精密定位裝置的研究，發展至今較有系統成效者，首推東京大學樋口教授在1984年所提出的構想。最先提出的方案，是將電磁線圈(Electromagnetic Coil)安裝在固定壁，利用電容瞬間放電所產生的衝擊力，用以驅動物體來做精密定位。而後於1985年，積層型的壓電元件開始在市面上販賣，以此為契機，乃建構以壓電元件代替電磁力及彈簧的驅動方式。並在1988年發表「利用壓電元件的急速變形之超精密定位機構」，此驅動方式稱之為衝擊力驅動機構，隨後對其特性亦做更廣泛的探討。脈衝驅動裝置的微動步幅可達奈米級，定位精度可達10奈米，相較於電磁力的驅動方式，性能上相當優異，且無發熱的問題。此機構僅由一個壓電元件，一個主移動體，以及一個慣性體所構成，不需複雜的機構，就能達到理論上能達到的無限行程之微動能力。 三、 壓電元件的磁滯現象 壓電陶瓷元件因本身為鐵電性材料組成，所以壓電陶瓷元件在對電場的反應中呈現非線性的曲線，我們將此存在於電場與位移或力量間的非線性關係，如圖三，稱之為磁滯現象(hysteresis)。由於壓電元件的先天性磁滯現象，因而當給與周期性的輸入時，就會產生磁滯效應，磁滯效應會造成上升曲線與下降曲線不一致之情況產生，所造成之誤差因材質之不同約有2 % ~ 5 % 之誤差量。然而，壓電材料的遲滯現象，將造成IDM機構運動路徑可達10 % ~ 15 % 的誤差，為了達到高精度的定位，對於磁滯模型的建立與磁滯效應的補償都是必須且重要的。 圖三：磁滯曲線[2]。 磁滯現象的非線性行為是影響定位性能的一項重要因素，從原點到極值範圍之間，由系統輸入給予遞增形式和遞減形式的訊號，則輸出訊號會以輸入之極值為轉折點，完成兩條不同的路徑，所形成封閉的曲線就稱為磁滯迴圈。磁滯現象自被發現以來，一直是學術界廣泛探討的議題，對於磁滯現象的數學建模，在歷來的研究中也被充分的討論與研究。 　　回顧過去已發表的文獻資料，我們可將常見磁滯建模的方式與架構分為，以下三類: 1.微分方程式動態模型 2.Preisach磁滯系統模型 3.類神經網路磁滯模型，而以微分方程式來描述磁滯的行為中，又包括了簡化Dahl模型、Boun-wen、Backlash-Like、Maxwell、Polynomial Approximated …Boun-wen磁滯模型與Preisach磁滯系統模型兩種建模方式，因這兩種模型在過去的文獻中有較豐富的討論與研究。 Boun-wen磁滯模型:1976年由Wen[3]所提出，而後由Boun加以改良，以簡單的數學式描述磁滯的非線性行為，藉此數學式可表現不同特徵且對稱的磁滯曲線，其數學描述式如下: (1) 和分別代表系統的輸出與輸入，參數決定了輸入的振幅大小，與則決定磁滯曲線的形狀，決定了曲線由彈性至塑性的平滑度。 1995年，Guo[4]和Low將Boun-wen磁滯模型，應用於三層堆疊型的壓電結構材料，並將其簡化，假設結構與材料為彈性材質，故令n=1，將式(1)簡化為式(2) (2) 由於數學形式簡易的優點，使的Boun-wen磁滯模型容易與本身機構系統之動態方程式結合，來充分描述具磁滯影響的機構系統，以控制的領域來看，Boun-wen磁滯模型也易於控制器的設計。 Preisach磁滯系統模型[5]:在此介紹另一種描述磁滯行為的建模方式，不同於之前的Boun-wen磁滯模型的微分方程式架構，Preisach磁滯系統模型數學式，是以積分的形式描述磁滯現象，且所表現的磁滯曲線並沒有一定的外型限制，其數學描述式[5]如下: 　 (3) 為輸出響應，稱為權重函數，和分別代表輸入切換值的上下界，稱為磁滯操作子。我們由圖四的方塊圖，將可以更清楚的了解，Preisach磁滯模型運作的架構。 圖四 ：