时钟芯片DS1的302及其应用.pptVIP

时钟芯片DS1302及其应用; 时钟计数功能，可以对秒、分钟、小时、月、星期、年的计数。年计数可达到 2100 年。 有 31*8 位的额外数据暂存寄存器 最少 I/O 引脚传输，通过三引脚SCLK,RST,IO控制 工作电压： 2.0-5.5V 工作电流小于 320 纳安（ 2.0V ） 读写时钟寄存器或内部 RAM （ 31*8 位的额外数据暂存寄存）可以采用单字节模式和突发模式 8-pin DIP 封装或 8-pin SOICs 兼容 TTL （ 5.0V ） 可选的工业级别，工作温度 -40 – 85 摄氏度 兼容 DS1202 较 DS1202 增加的功能： 1. 可通过 Vcc1 进行涓流充电 2. 双重电源补给 3. 备用电源可采用电池或者超级电容 (0.1F以上 ) ，可以用老式电脑主板上的 3.6V 充电电池。;引脚分布;引脚功能;结构框图;主要工作原理：移位寄存器，控制逻辑，晶振，时钟和RAM 在进行任何数据传输时，/RST必须被制高电平（注意虽然将它置为高电平，内部时钟还是在晶振作用下走时的，此时，允许外部读写数据 ）。 在每个 SCLK 上升沿 时，数据被输入，下降沿时数据被输出，一次只能读写一位，是读还是写需要通过串行输入控制指令来实现（也是一个字节），通过 8 个脉冲便可读取一个字节从而实现串行输入与输出。 最初通过 8 个时钟周期载入控制字节到移位寄存器。如果控制指令选择的是单字节模式，后来的连续的 8 个时钟脉冲可以进行 8 位数据的写或 8 位数据的读操作，SCLK 时钟的上升沿时，数据被写入 DS1302 ， SCLK 脉冲的下降沿读出 DS1302 的数据。;DS1302的基本操作方式是：先写地址(最后一位是0)，再写数据；或者先写地址(最后一位是1) ，再读数据。 写：发送10XXXXX0 再发送写的字节 读：发送10XXXXX1 再读一个字节; 每个字节的传输是有控制字节指定的，控制字节的最高位 Bit7 必须是 ‘ 1 ’ ，如果是 ‘ 0 ’ ，写入将被禁止； bit6 为 ‘ 0 ’ 则指定对时钟 / 日历寄存器控制读写操作； 为 ‘ 1 ’ 则为 RAM 区数据的控制读写操作； bit1~bit5 对指定的寄存器进行输入输出操作； bit0 指的是输入还是输出，为 ‘ 0 ’则为输入，相反则输出有效，输入输出根据脉冲的上升沿和下降沿串行进行（前面已经提到）。;复位与时钟控制;复位与时钟控制;数据输入(单片机写);数据输出(单片机读);读写时间寄存器;初始化时要置当前时间： 写地址：发即0x80)，再发送写的字节0x55;秒写地址：0x80 读地址：0x81 分写地址：0x82 读地址：0x83 时写地址：0x84 读地址：0x85 日写地址：0x86 读地址：0x87 月写地址：0x88 读地址：0x89 周写地址：0x8a 读地址：0x8b 年写地址：0x8c 读地址：0x8d;时钟寄存器地址;时钟停止标志位;AM-PM/12-24 MODE;写保护位 (WRITE PROTECT BIT);涓电流充电寄存器; 该寄存器决定了 DS1302 的充电特性，涓流充电选择位为 bit4~7 ，置 1010 时使涓流充电 ，其他选择将禁止涓流充电。 DS1302 刚上电时无涓流充电。二极管选择位 diode select （ DS ） bit2~3 ，将在 Vcc1 和 Vcc2之间选择 1 或 2 个 diode ，如果 DS 是 01 ，只有一个二极管被选择，如果 DS 四 10 ，将选择两个 diode ，具体电路 如下图，如果是 00 或 11 ，无涓流充电能力。还有电阻选择位 RS(bit0~1) 将会选择 Vcc1 和 Vcc2 之间的电阻，具体如下表：;sbit DS1302_CLK = P1^7; sbit DS1302_IO = P2^3; sbit DS1302_RST = P1^3;;void sendbyte(uchar a) { uchar i; for(i=8;i0;i--) { DS1302_IO = a 0x01; a = 1; DS1302_CLK=1; _nop_(); DS1302_CLK=0; _nop_(); } };函数功能:单片机从DS1302读一个字节子程序 uchar readbyte(void) { uchar i,dat=0; for(i=8;i