_湿法清洗及湿法腐蚀工艺-王永刚.pdf

湿湿法法清清洗洗及及湿湿法法腐腐蚀蚀 目 录 一：简介 二：基本概念 三：湿法清洗 四：湿法腐蚀 五：湿法去胶 六：在线湿法设备及湿法腐蚀异常简介 七．常见工艺要求和异常 一：简 介 众所周知，湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受 和使用，许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随 IC 集成度的提高,硅片表面的洁 净度对于获得 IC 器件高性能和高成品率至关重要, 硅片清洗也显得尤为重要.湿法 腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以 及有很高的选择比仍被广泛应用. 二 基本概念 腐蚀是微电子生产中使用实现图形转移的一种工艺，其目标是精确的去除不被 ?? 覆盖? 的材料，如图 ?：? ? 图?? ? 腐蚀工艺的基本概念?：? ? ETCH RATE (E/R) ------------腐蚀速率：是指所定义的膜被去除的速率或去除率，通常用 Um/MIN，A/MIN 为单位来表示。 E/R UNIIFORMIITY------------ 腐蚀速率均匀性,通常用三种不同方式来表示: UNIIFORMIITY ACROSS THE WAFER WAFER TO WAFER LOT TO LOT 腐蚀速率均匀性计算 UNIIFORMIITY=（ERHIIGH -- ERLOW）/（ERHIIGH + ERLOW）**100% SELECTIIVIITY--------------选择比是指两种膜的腐蚀速率之比,其计算公式如下: SEL A/B= （E/R A）/（E/R B） 选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响，在腐蚀工艺中必须特别注 意 SEL，这是实现腐蚀工艺的首要条件。 PR PR SIN SIN SIO2 SIO2