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电子信息材料 -08——敏感材料 ;第八章 敏感材料;常见敏感材料;对传感器用敏感材料的基本要求;检测对象;8.1 力敏材料;8.1.1 金属应变片材料;丝状金属未受外力作用时，Ｒ＝ρＬ／Ｓ（＊） 受到拉伸作用后，电阻值变化量为ΔR，长度变化量为ΔＬ，截面积变化量为ΔＳ，电阻率变化量为Δρ。 将（＊）式微分，近似得到电阻值的相对变化率： ΔR/R＝ ΔＬ/Ｌ－ ΔＳ／Ｓ＋ Δρ／ρ 上式当中， ΔＬ/Ｌ＝ε为材料的轴向应变，而我们令ΔＳ／Ｓ＝－２με，μ为材料的泊松比 考虑到Ｋ的定义式，Ｋ＝ （ΔR/R）／ε，代入得到：Ｋ＝１＋２μ＋（Δρ／ρ）／ε 材料的灵敏度系数受两个因素的影响：;1/ 材料的应变； 2/ 材料的电阻率的变化。 对于金属或合金材料而言，哪一项是主要的，对于力敏半导体而言哪一项为主？ 金属合金应变计大都采用箔式应变片，箔材以Cr-Ni合金和Cu-Ni合金为主，厚度为5-20μm之间，应变电阻的阻值为120-600欧姆。;8.1.2 半导体力敏材料;8.1.3 薄膜力敏材料; 电阻率随着温度改变而发生变化的材料称为热敏电阻材料。这种材料被广泛用于制造各种热敏电阻器。;元件名称;元件名称;1．热电温度计(热电偶) ;A;;;;2． 热敏电阻传感器 ;NTC半导磁一般为尖晶石结构，AB2O4。 当B位置的阳离子为可以变价的阳离子时，也就是二价和三价的离子均占据B位时，才能形成半导体。由于B位离子间距小，电子云重叠几率大些，可以实现电子交换。而正尖晶石结构的晶体一般为大带隙的绝缘体。 一定要注意我们所要面对的温区： 中、高温还是低温。 对于NTC材料越低温越灵敏还是越高温越灵敏？ ;临界温度电阻（CTR）热敏材料 CTR材料是指具有突变电阻温度特性曲线的材料，主要有Ag2S-CuS系和V系。一般来说，这类材料在相当窄的温度区间内其电阻值有3-5个数量级的突变。其临界温度与组成密切相关。 应用范围是否十分狭窄？ ;PTC材料： PTC材料是随温度上升而阻值增大的材料，最普遍的PTC热敏电阻之一通常是在BaTiO3陶瓷中掺入稀土元素使之半导化而得到。 BaTiO3半导体陶瓷热敏电阻的工作机理： 材料的势垒高度与相对介电常数ε有关，在Tc以下，ε很高，势垒很低。在Tc以上， ε-T关系服从居里外斯关系，并且大大降低，势垒升高。 这个势垒是指晶粒边界上的肖特基势垒。 BaTiO3半导体陶瓷室温电阻率高，应用受限，近年来开发了V2O3系材料。;;3．双金属片温度计;;8.3 电压敏材料;电压敏感陶瓷的性质;应用领域：特殊的保安作用，大量应用于电气设备的过流（过压）保护电路以及避雷器等。 电压敏感电阻的I-V特性服从下式： V=CIα 或者 I=KVβ α、β为电压和电流的非线性系数，K、C为常数 1968年，日本松下电气公司首先开发出ZnO压敏电阻器。 现在，已经实现了从超小型的到巨型的；通流容量从几安培到十万安以上；涌浪吸收能量从焦耳级到达几百千焦；工作电压可以从几伏到几十万伏特。; 目前压敏陶瓷主要有SiC、TiO2、SrTiO3和ZnO四大类，但应用广、性能好的当属氧化锌压敏陶瓷。由于ZnO压敏陶瓷呈现较好的压敏特性，在电力系统、电子线路、家用电器等各种装置中都有广泛的应用。 自七十年代日本首先使用ZnO无间隙避雷器取代传统的SiC串联间隙避雷器以来，国内外都相继开展了这方面的研究。但氧化锌压敏陶瓷在高压领域的应用还存在局限性。如生产高压避雷器，则需要大量的ZnO压敏电阻阀片叠加，不仅加大了产品的外形尺寸，而且高压避雷器要求较低的残压比也极难实现，为此必须研究开发新的高性能高压压敏陶瓷材料。 ;ZnO系压敏电阻陶瓷;ZnO压敏薄膜电阻的I-V特性 （对示波器的拍照） 硅酸盐学报990419;;磁敏电阻器是一种磁电变换元件，利用磁阻效应制成;1883年，金属导体的磁阻效应 1951年，研究了强磁性薄膜的磁阻效应 20世纪50年代，发现InSb和InAs等材料具有极高的 迁移率，促进了磁敏电阻器的开发。 20世纪60年代中期，国际市场上出现了磁敏电阻器。; 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。 ;电流传感器;汽车速度测量:;磁敏传感器检测限度;;对于长宽比或形状不同的磁敏电阻，其电极间电流流向的偏斜角不同，因此造成的电流路径的长短将会有所差异，即磁阻效应的大小不同，此称为几何磁阻效应。;半导体磁敏电阻常用的有锑化铟、砷化铟等， 以及它们的某些共晶材料;InSb在不同温度下的性能;体型和薄膜型两种相比较;强磁性薄膜磁敏材料;镍-铁合金薄膜：Ni含量低时，合金的结构与α-Fe一样，为体心立方结构；在镍的质量分数