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小功率调幅发射机的设计、安装与调测 设计任务 设计一个小功率调幅发射机，指标为：中心频率6MHz；频率稳定度≤10-4；输出AM波峰包功率≥200mW；调制系数ma≥50％；包络基本不失真，用短波调幅收音机收听到的声音清晰且不失真。限定条件：天线阻抗50Ω，话筒为驻极体话筒XD-18。 方案的确定与总电路图 系统方案的确定 根据设计任务要求，可选用图k1.1所示的典型小功率调幅发射机方案。图中，晶体振荡器的作用是产生频率稳定度≤10-5的要求。缓冲放大器用于减小高电平调幅电路对振荡器工作的影响，并对振荡器输出信号进行放大，其增益应该适合而且可调，以便满足高电平调幅电路对uB(t)的要求。调制系数可通过调节uB(t)和uΩ(t)的要求确定其他电路。 晶体振荡器 缓冲放大器 高电平调幅 话 筒 音频放大器 图k1.1 小功率调幅发射机系统框图 单元电路的设计 高电平调幅电路的设计 电路及工作状态的选择。高电平调幅电路主要有基极调幅、集电极调幅和集电极-基极双重调幅电路。由于输出功率较小，故可选用效率虽较低但调制线性好、电路较简单的基极调幅电路。导通角通常选择70o左右，采用自给偏置，电路如图k1.2所示。为了调高调制线性度，应使电路工作与=于欠压区。 （2）基本元件的选择。图中，CB1、CB2和CC为隔直耦合电容，C1、C2为高频滤波电容。由于载波频率fC=6MHz，音频信号频率F≈20Hz～20kHz，故取CB1=CC=0.033uF，CB2=10uF，C1=C2=1uF。C3为电源去耦电容，取C3=10uF。扼流圈LC在该电路中主要起隔离高频信号、耦合电源的作用，通常取10mH。LB2为低频扼流圈，在该电路中主要起隔离低频信号、提供直流通路的作用，取LB2=51mH。LB1为高频扼流圈，其作用是隔离高频载波信号，耦合低频的音频信号，因此取LB1=470uH。RE为负反馈电阻，用以改善波形及测试工作状态，通常可去RE=10Ω。 （3）滤波匹配网络的设计。L、C4和C5构成π型滤波匹配网络，为确定它们的值，需先确定集电极谐振电阻Re。电路的最大输出功率在临界状态时达到，考虑到匹配网络的实际传输效率，应选择临界状态时的最大输出功率。 Pomax1.5倍输出峰包功率=1.5*220mW=330mW 故选择Pomax=0.6W。设集电极饱和压降UCES=1V，电源电压VCC=12V，则临界状态时的高频信号振幅Ucmmax=11V，可得集电极谐振电阻为 Re=Ucmmax22P0max≈100Ω 考虑到功放电路中Qe1、Qe2不宜太大，否则谐振曲线太尖锐，不易调整 ，而且传输效率会降低，故取Qe1=2。由于Qe U2cmmax/2Pomax 1=ωCReC4，因此可得 C4=21×106×2π×100=3185pF 实际可取3300pF，然后根据实验进行调整。 由于 Re1+Qe12=RA1+Qe22 故可得 Qe2=1+Qe12RARe-1≈1.22 C5=Qe2ωCRA=1.222π×106×50=3885pF C5可取3900pF，然后根据实验进行调整 L=L1+L2=Qe1ωCRe1+Qe12+Qe2ωCRe1+Qe12=（Qe1+Qe2）ReωC（1+Qe12）=3.22×1002π×106×5(H)=10.3uH 故L取为10uH。 （4）三极管的选择。设导通角θ≈70o，则根据三极管临界工作状态的高频信号振幅Ucmmax=11V，可求得临界工作状态时集电极电流（也即该电路正常工作时的最大集电极电流）为 iCmax=Icmmaxα1(θ)=UcmmaxReα1(70o)=11100×0.44=0.25A 临界状态时的管耗为 PC=PD-P0max=icmaxα0(θ)VCC- P0max=0.25×0.25×12-0.6W=150mW 由于失谐时管子的管耗大大增加，因此PCM的选择应有足够余量。 极管的最大集电极电压为 uCEmax≈2VCC=24V 查手册知：NPN高频中功率硅管9013的参数为fT≥300MHz，PCM=700mWICM=300mA，U(BR)CEO=30V，所以能满足上述要求。9013的管脚如下k1.3(b)所示。 （5）载波电压幅值Ubm与调制电压幅值UΩm的选择。由于采用自给偏置，因此Ubm应大于0.5V。为便于调整、提高调幅波性能，应使Ubm在0.5~3V内可调，UΩm的在0.1~1V内可调，然后通过实验确定他们的合理取值。综上所述，确定高电平调幅电路如图k1.3(a)所示。 2.电源的选择