第3章半导体基础知识.pptVIP

《数字电子技术基础》（第五版）教学课件清华大学 阎石 王红;补：半导体基础知识;半导体基础知识（1）;半导体基础知识（2）;半导体基础知识（2）;半导体基础知识（3）;半导体基础知识（4）;半导体基础知识（4）;半导体基础知识（5）;第三章 门电路;3.1 概述;获得高、低电平的基本原理;正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1;3.2半导体二极管门电路半导体二极管的结构和外特性（Diode）;3.2.1二极管的开关特性：;二极管的开关等效电路：;二极管的动态电流波形：;3.2.2 二极管与门 ;3.2.3 二极管或门;二极管构成的门电路的缺点;3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性;以N沟道增强型为例：;以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） ;二、输入特性和输出特性;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;三、MOS管的基本开关电路;四、等效电路;五、MOS管的四种类型;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;二、电压、电流传输特性;三、输入噪声容限;结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限;3.3