第一章半导体器件基础第四讲.pptVIP

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2017-05-04 发布于四川
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第一章半导体器件基础第四讲.ppt

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第一章半导体器件基础第四讲

场效应管的特点和分类 ;1.5.1 结型场效应管; N沟道JFET管外部工作条件; UGS对沟道宽度的影响;由图 UGD = UGS - UDS; 当UDS增加到使UGD ?=UGS(off)时 → A点出现预夹断;③ uGS和uDS同时作用时;综上分析可知;3. JFET的特性曲线及参数;① 夹断电压UGS(off)：; 结型场效应管的缺点：;一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET); 2. N沟道增强型MOS管的工作原理; (uGS ? UGS(th)) 当uGS进一步增加时，一方面耗尽层增宽，另一方面衬底的自由电子被吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称之为反型层，构成了漏-源之间的导电沟道（也称感生沟道），如图所示。;1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0);2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th));3. 输出特性曲线;4. 转移特性曲线;二、耗尽型 N 沟道 MOSFET; 若uDS为定值，而uGS 0， uGS ? ? iD ?；若uGS0， uGS ? ? iD ? ，当uGS减小到一定值时，反型层消失，??电沟道被夹断， iD=0。此时的uGS称为夹断电压uGS(off) 。 uGS ? uGS(off) 时，全夹断。若uGS uGS(off)，且为定值，则iD 随uDS 的变化与N沟道增强型MOS管的相同。但因uGS(off) 0，所以uGS在正、负方向一定范围内都可以实现对iD的控制。;二、耗尽型 N 沟道 MOSFET;三、P 沟道 MOSFET;N 沟道增强型;O uDS /v;1.5.3 场效应管的主要参数;UGS(th);4. 低频跨导 gm ;PDM = uDS iD，受温度限制。;1.5.5 场效应管与晶体三极管的比较;1.5.5 场效应管与晶体三极管的比较 ;1.5 场效应管; 解: (a) iD0（或uDS0），则该管为N沟道； uGS≤0，故为JFET（增强型）。;判断场效应管类型方法：