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第一章电力电子器件2
《电力电子技术》 电子教案;1.5 其他新型 电力电子器件 ;1.5.1 MOS控制晶闸管MCT;1.5.2 静电感应晶体管SIT;1.5.3 静电感应晶闸管SITH;1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT;1.5.5 功率模块与功率集成电路 ;1.5.5 功率模块与功率集成电路;1.5.5 功率模块与功率集成电路;1.6 电力电子器件器件的驱动 ;1.6.1 电力电子器件驱动电路概述;1.6.1 电力电子器件驱动电路概述;1.6.1 电力电子器件驱动电路概述;1.6.2 晶闸管的触发电路;1.6.2 晶闸管的触发电路;1.6.3 典型全控型器件的驱动电路;1.6.3 典型全控型器件的驱动电路;1.6.3 典型全控型器件的驱动电路;1.6.3 典型全控型器件的驱动电路;1.7 电力电子器件器件的保护 ;1.7 电力电子器件器件的保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.2 过电流保护;1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.7.3 缓冲电路(Snubber Circuit);1.8 电力电子器件器件的串联和并联使用 ;1.8.1 晶闸管的串联
目的:当晶闸管额定电压小于要求时,可以串联
问题:理想串联希望器件分压相等,但因特性差异,使器件电压分配不均匀
静态不均压:串联的器件流过的漏电流相同,但因静态伏安特性的分散性,各器件分压不等
承受电压高的器件首先达到转折电压而导通,使另一个器件承担全部电压也导通,失去控制作用
反向时,可能使其中一个器件先反向击穿,另一个随之击穿;1.8.1 晶闸管的串联;1.8.1 晶闸管的串联;1.8.2 晶闸管的并联;1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点;本章小结;作 业;本章小结;图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性;图1-32 电力MOSFET的一种驱动电路 ;图1-33 M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 ;图1-34 过电压抑制措施及配置位置;图1-38 di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形
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