8A、650VN沟道增强型场效应管.PDFVIP

东森微电子 SVF8N65T/F 说明书 8A、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF8N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用 SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的 工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优 越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ? 8A，650V，RDS(on)(典型值)= 1.2?@VGS=10V ? 低栅极电荷量 ? 低反向传输电容 ? 开关速度快 ? 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF8N65T TO-220-3L