数字集成电路设计作业2教程.docxVIP

5-1 假设电路中的电流由下式给出：I=VrefR如果电压Vref由精准的电压基准源提供，且不随温度变化。利用电阻温度系数确定电流温度系数。假设电阻采用N阱制作，参考图5-1绘制电流随温度的变化曲线。使用表4-1中给出的TCR1。 解：TCI1=1IdIdT=1IdIdRdRdT=1IdIdR?TCR1?R 又I=VrefR，代入上式得：TCI1=RVref-VrefR2?TCR1?R=-TCR1 查表4-1知，TCR1=2400ppm/℃ =0.0024/℃,故I=I0(1-0.0024(T-T0)) 作出II0-（T-T0) 图像如下： 5-5 假设器件长L为2，叉指宽度W为20，估算图5-18所示版图中源/漏区的面积和周长。 解：由图5-18，可以确定漏区为漏与各个栅之间的方块部分，即第一、二个栅之间所夹的部分和第三、四个栅之间所夹的部分。源区为剩下的部分。 估算源区面积为：AS=3?W?2L=240漏区面积为：AD=2?W?2L=160 单位为方块面积。 估算源区周长为：PS=2?W+2L?3=144漏区周长为：PD=2?W+2L?2=96 单位为单位长度。 5-6 参考对图5-21中NMOS器件的讨论，定性讨论PMOS器件的电容。要确保对PMOS器件工作在强反型和耗尽区时的描述清晰。（对照图5-21）绘制PMOS器件的等效图。 解： (1)给PMOS器件栅极提供一个负向