半导体物理第六章习题答案.docVIP

第6章 p-n结 1、一个Ge突变结的pn区掺杂浓度分别为NA=1017cm-3和ND=5(1015cm-3，求室温下pn结 已知室温下，eV，Ge的本征载流子密度 代入后算得： 4.证明反向饱和电流公式（6-35）可改写为 式中，和分别为n型和p型半导体电导率，为本征半导体电导率。 证明：将爱因斯坦关系式和代入式（6-35）得 因为，，上式可进一步改写为 又因为 即 将此结果代入原式即得证 注：严格说，迁移率与杂质浓度有关，因而同种载流子的迁移率在掺杂浓度不同的p区和n区中并不完全相同，因而所证关系只能说是一种近似。 5.一硅突变pn结的n区(，((s；p区(，((s，计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度，以及在正向电压0.3V时流过p-n结的电流密度。 ，查得， 由，查得， ∴由爱因斯坦关系可算得相应的扩散系数分别为 ， 相应的扩散长度即为 对掺杂浓度较低的n区，因为杂质在室温下已全部电离，，所以 对p区，虽然NA=5(1017cm-3时杂质在室温下已不能全部电离，但仍近似认为pp0=NA， 于是，可分别算得空穴电流和电子电流为 ∴ 空穴电流与电子电流之比 饱和电流密度： 当U=0.3V时： = 6．条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的电容：①－10V；②0V；③0.3V。 p+n结，其势垒宽度 式中， 外加偏压U后，势垒高度变为，因而 ① U=－10V时，势垒区宽度和单位面积势垒电容分别为 ② U=0V时，势垒区宽度和单位面积势垒电容分别为 ③ U=0.3V 正向偏压下的pn结势垒电容不能按平行板电容器模型计算，但近似为另偏压势垒电容的4倍，即 7.计算当温度从300K增加到400K时，硅pn结反向电流增加的倍数。 JS对温度的依赖关系（讲义式(6－26)或参考书p.193 式中，Eg(0)表示绝对零度时的禁带宽度。由于比其后之指数因子随温度的变化缓慢得多，主要是由其指数因子决定，因而 12、分别计算硅结在平衡和反向电压45V时的最大电场强度。已知VD=0.7V，。 ⑴平衡时，即U=0V时 最大场强： ⑵时： 最大场强 13. 求题5所给硅p+n的反向击穿电压、击穿的空间电荷区宽度及其中的平均电场强度。 ＝95.14(751/4=318 V 或按其n区掺杂浓度9(1014cm3按下式算得 UB =60=60( (100/9)3/4=365（V） 二者之间有计算误差。以下计算取300V为击穿前的临界电压。 空间电荷区中的平均电场强度 注：硅的临界雪崩击穿电场强度为3(105 V/cm，计算结果与之基本相符。 14.设隧道长度，求硅、锗、砷化镓在室温下电子的隧率 ⑴对硅：，，尔格 ⑵对锗：， ⑶对砷化镓：， 第7章 金属和半导体的接触 1、求Al-Cu、Au-Cu、W-Al、Cu-Ag、Al-Au、Mo-W、Au-Pt的接触电势差，并标出电势的正负。 元素 Al Cu Au W Ag Mo Pt 功函数 4.18 4.59 5.20 4.55 4.42 4.21 5.43 故： 2、两种金属A和B通过金属C相接触，若温度相等，证明其两端a、b的电势差同A、B直接接触的电势差一样。如果A是Au，B是Ag，C是Cu或Al，则为多少伏？ ， 两式相加得： 显然，VAB与金属C无关。若A为Au，B为Ag，C为Al或Cu，则VAB与Cu、Al无关，其值只决定于WAu=5.2eV，WAg=4.42eV，即 3、求ND=1017cm-3的n型硅在室温下的功函数。若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Mo接触时，形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取4.05ev。 解：设室温下杂质全部电离 其功函数即为： 若将其与功函数较小的Al（WAl=4.18eV）接触，则形成反阻挡层，若将其与功函数较大的Au（WAu=5.2eV）和Mo（WMo=4.21eV）则形成阻挡层。 5、某功函数为2.5e的金属表面受到光的照射。 ①这个面吸收红色光或紫色光时，能电子吗？ ②用波长为185nm的紫外线照射时，电子？ ⑴设红光波长(＝700nm(＝00nm，则红光光子能量 其值小于该金属的功函数，所以红光照射该金属表面不能令其发射电子；而紫光光子能量： 其值大于该金属的功函数，所以紫光照射该金属表面能令其发射电子。 ⑵ (＝nm的紫外光光子能量为： 发射出来的电子的能量： 6、电阻率为的n型锗和金属接触形成的肖特基势垒高度为0.3ev。求加上5V反向电压时的空间电荷层厚度。