模拟cmos集成电路设计拉扎维第2章MOS器件物理基础.pptVIP

模拟集成电路设计第2章 MOS器件物理基础 董刚 gdong@mail.xidian.edu.cn 微电子学院 授课内容 上一讲 研究模拟电路的重要性 模拟电路设计的难点 研究AIC的重要性 研究CMOS AIC的重要性 电路设计一般概念 抽象级别 健壮性设计 符号 上一讲 数字电路无法完全取代模拟电路，模拟电路是现代电路系统中必不可少的一部分 模拟电路设计的难点比数字电路不同 关注点、噪声和干扰、器件二阶效应、设计自动化程度、建模和仿真、工艺、数模混合 AIC具有高速度、高精度、低功耗、大批量时成本等优点 用CMOS工艺设计、加工AIC具有加工成本低、易实现数模混合等优点，被广泛采用 掌握器件物理知识的必要性 数字电路设计师一般不需要进入器件内部，只把它当开关用即可 AIC设计师必须进入器件内部，具备器件物理知识 MOS管是AIC的基本元件 MOS管的电特性与器件内部的物理机制密切相关，设计时需将两者结合起来考虑 器件级与电路级联系的桥梁？ 器件的电路模型 本讲 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 本讲的目的 从AIC设计者角度，看器件物理；本讲只讲授MOS器件物理基础知识 理解MOS管工作原理 基于原理，掌握电路级的器件模型 直流关系式－I/V特性 交流关系式－小信号电路中的参数 MOS管简化模型 MOS管的结构 MOS管的结构 MOS管的符号 本讲 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 沟道电荷的产生 阈值电压 I/V特性－沟道随VDS的变化 I/V特性—推导I(VDS,VGS) I/V特性—推导I(VDS,VGS) I/V特性—线性区 I/V特性—当VDS2(VGS-VTH)时？ I/V特性—当VDSVGS-VTH时？ I/V特性—当VDSVGS-VTH时 I/V特性—当VDSVGS-VTH时 I/V特性—当VDSVGS-VTH时 I/V特性—PMOS管 跨导gm 跨导gm MOS管工作在哪个区？ 本讲 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 二级效应 前面VTH、I/V、gm等推导都是基于最简单假设 忽略了VDS对L的影响等二级效应 二级效应是AIC设计必须要考虑的因素 会对电路一些性能指标带来不可忽视的影响 如输出电阻RO 、体效应引起的体跨导gmb 包括 体效应、沟长调制效应、亚阈值导电性、热载流子效应、速度饱和、垂直电场引起的迁移率退化、温度特性等 阈值电压和体效应 阈值电压和体效应 体效应对电路性能影响 利用体效应工作的电路实例 沟道长度调制效应 沟长调制效应 亚阈值导电性 亚阈值导电性[Gray] 用亚阈值特性确定阈值电压 如何测量确定阈值电压？ 用亚阈值特性确定阈值电压 粗略估算方法 ID/W=1?A/?m所对应的VGS为VTH ，此时MOS管工作在亚阈区附近。为什么？ 亚阈值区时的跨导 电压限制 栅击穿 不可恢复的损伤 PN结击穿 源漏穿通 热载流子效应 本讲 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 MOS器件版图 根据电特性要求和工艺设计规则设计 MOS器件版图 MOS管中的电容 分析MOS管交流特性时必须考虑电容影响 MOS管中的电容 寄生电容往往随偏置电压的变化而变化 EDA工具在寄生参数提取时会自动提取每个节点精确的寄生电容值 MOS管中的电容－低电容版图 MOS管中的电容－不同工作区 截止区 MOS管中的电容－不同工作区 深三极管区 饱和区 MOS大信号和小信号模型 大信号模型 由I-V特性关系式、CGS等电容的电容值构成 信号相对于偏置工作点而言比较大、会显著影响偏置工作点时用该模型 小信号模型 信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算 由gm、 gmb、rO等构成低频小信号模型，高频时还需加上 CGS等寄生电容、寄生电阻（接触孔电阻、导电层电阻等） MOS饱和区时的小信号模型 MOS饱和区时的小信号模型 MOS管的完整小信号模型 对于手算，模型不是越复杂越好。能提供合适的精度即可 MOS小信号模型中的电阻 通常忽略 合理设计版图能减小电阻 MOS SPICE模型 模型精度决定电路仿真精度 最简单的模型——Level 1，0.5?m