第二章放大电路的基本原理和解析方法.pptVIP

一、静态分析 VDD + uO ? iD VT ~ + ? uI VGG RG S D G RD 图 2.7.3　共源极放大电路原理电路 两种方法 近似估算法 图解法 (一) 近似估算法 　　MOS 管栅极电流为零，当 uI = 0 时 UGSQ = VGG 而 iD 与 uGS 之间近似满足 (当 uGS UT) 式中 IDO 为 uGS = 2UT 时的值。 则静态漏极电流为 (二) 图解法 图 2.7.4　用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 二、动态分析 iD 的全微分为 上式中定义： —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS)。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 1. 微变等效电路 一、简化的 h 参数微变等效电路 (一) 三极管的微变等效电路 ?iB ?uBE 晶体管的输入特性曲线 ? rbe ：晶体管的输入电阻。 在小信号的条件下，rbe是一常数。晶体管的输入电路可用 rbe 等效代替。 1. 输入电路 Q 点附近的工作段 近似地看成直线 ? 可认为 ?uBE 与 ?iB 成正比 Q O iB uBE 图 2.4.10(a) 2. 输出电路 　　假设在 Q 点附近特性曲线基本上是水平的(?iC 与 ?uCE无关)，数量关系上， ?iC 比 ?iB 大 ? 倍； ?iB ? ?iB 　　从三极管输出端看，可以用 ? ?iB 恒流源代替三极管； 该恒流源为受控源； 为 iB 对 iC 的控制。 uCE Q iC O 图 2.4.10(b) 3. 三极管的简化参数等效电路 　　注意：这里忽略了 uCE 对 iC与输出特性的影响，在大多数情况下，简化的微变等效电路对于工程计算来说误差很小。 图 2.4.11　三极管的简化 h 参数等效电路 c b e + ?uBE ? + ?uCE ? ?iC ?iB e b c rbe ? ?iB + ?uBE ? + ?uCE ? ?iC ?iB 4. 电压放大倍数 Au；输入电阻 Ri、输出电阻 RO C1 Rc Rb +VCC C2 RL + ? + + VT + ? Ri = rbe // Rb ， Ro = Rc rbe e b c Rc RL Rb + ? + ? 图 2.4.12　单管共射放大电路的等效电路 (二) rbe 的近似估算公式 rbb? ：基区体电阻。 re?b? ：基射之间结电阻。 低频、小功率管 rbb? 约为 300 ? 。 UT ：温度电压当量。 c b e iB iC iE 图 2.4.13 电流放大倍数与电压放大倍数之间关系 讨论 　　1. 当 IEQ 一定时， ? 愈大则 rbe 也愈大，选用 ? 值较大的三极管其 Au 并不能按比例地提高； 因： 　　2. 当 ? 值一定时，IEQ 愈大则 rbe 愈小，可以得到较大的 Au ，这种方法比较有效。 (三) 等效电路法的步骤(归纳) 　　1. 首先利用图解法或近似估算法确定放大电路的静态工作点 Q 。 　　2. 求出静态工作点处的微变等效电路参数 ? 和 rbe 。 　　3. 画出放大电路的微变等效电路。可先画出三极管的等效电路，然后画出放大电路其余部分的交流通路。 　　4. 列出电路方程并求解。 二、 微变等效电路法的应用 　　例：接有发射极电阻的单管放大电路，计算电压放大倍数和输入、输出电阻。 C1 Rc Rb +VCC C2 RL + ? + + VT + ? Re rbe b c Rc RL Rb + ? Re e + ? 图 2.4.14　接有发射极电阻的放大电路 rbe b c Rc RL Rb + ? Re e + ? 根据微变等效电路列方程 　　引入发射极电阻后， 降低了。 若满足(1 + ?) Re rbe 与三极管的参数 ?、rbe 无关。 2. 放大电路的输入电阻 　　引入 Re 后，输入电阻增大了。 3. 放大电路的输出电阻 rbe e b c Rc RL Rb + ? + ? Re rbe b c Rc Rb Re e 　　将放大电路的输入端短路，负载电阻 RL 开路 ，忽略 c 、e 之间的内电阻 rce 。 RL 图 2.4.14(b) 讨论 引入 Re 后对输出电阻的影响。 rbe e b c Rc Rb Re rce ~ + _ 式中 图 2.4.15　求图 2.4.14(a)电路 输出电阻的等效电路 将