FePt反点阵膜的刻蚀效应及微磁学模拟-欢迎进入兰州大学数字化学习.doc

FePt反点阵膜的刻蚀效应及微磁学模拟 景铁映 蒋长军 赖志煌 内容摘要：采用磁控溅射法,在SiO2基片上制备了FePt薄膜。序化后，在FePt表面再依次磁控溅射Ti和Al薄膜。之后，将Al膜阳极氧化为Al2O3形成多孔结构，通过离子束刻蚀，制备FePt的反点结构。实验结果表明，刻蚀不同时间反点结构FePt的矫顽力变化呈一定的趋势；通过微磁学模拟(OOMMF)发现，未刻蚀样品的磁化状态与模拟得到磁化状态偏差较大。经过分析我们认为，这种差异可能是由于Ti膜的扩散对FePt的磁性影响引起的。 关键词：FePt；刻蚀效应；反点结构 1、引言 多孔磁性纳米结构与连续膜相比展示出了不相同的性质。最近，多孔磁性结构(通常称为反点)受到广泛关注。不仅由于它在高密度磁性数据存储[1-5]和超导体材料中磁通钉扎[6]中具有潜在的应用价值，而且它对磁性材料中的基础研究也有巨大价值，例如：磁化反磁化过程[7]，自旋输运机制[8]和交换偏置效应[9]。目前，关于多孔结构的大多研究主要集中在具有面内各向异性的软磁材料中，包括单质铁磁（Fe，Co，Ni）[10]和坡莫合金[11]。一些研究小组研究了双层或多层磁性材料的多孔结构。他们结果表明，反点结构的磁性很大程度上与孔洞的直径和周期有关，并且可以通过控制孔洞的直径和周期，来控制材料的磁化反磁化特性[5]。 从技术上来看，利用高密度的（直径小于10nm）的孔洞做掩膜制备出的垂直各向异性硬磁多孔材料对于将来的磁性数据存储技术有很大推动[12]。具有反点结构的垂直各向异性材料也是超导磁通钉扎中的一种具有巨大潜力的备选材料[6]。 L10结构的FePt合金薄膜，具有极高的垂直磁各向异性(7×106J/m3),是一种硬磁材料。当其晶粒尺寸小到3nm时仍能够保持较好的热稳定性[13],从而成为最具有应用前景的超高密度磁记录介质。通常，制备L10相的FePt合金薄膜需要经过热处理（大于500℃）才可成相[14]。 本实验中，室温下在SiO2基底上，利用磁控溅射制备FePt(厚度5nm)薄膜。然后依次溅射厚度为15nm的Ti和不同厚度的Al。 Al的溅射功率为分别为80W，150W，250W，350W，膜厚为500nm，400nm ，300nm。Ti膜的引入可以有效的降低样品表面的粗糙度[15]，因此，进而可以有效降低Al膜的表面粗糙度，从而对于得到表面比较光滑的AAO模板是有利的。利用原子力显微镜(AFM)观察Al表面形貌，找出表面粗糙度最小的Al膜的制备条件。尝试不同条件的多次阳极氧化处理，将Al膜氧化成表面较光滑的多孔氧化铝(厚度约200nm)。之后，利用AAO的多孔结构为掩模板刻蚀出具有多孔的FePt的pattern结构。 利用振动样品磁强计（VSM），测量同一个样品在不同刻蚀时间的磁滞回线。利用OOMMF软件对不同刻蚀时间的样品磁性进行微磁学模拟，对比实验结果和模拟结果，以对刻蚀过程中的一些现象做合理解释。 2、实验 2.1、样品制备 2.1.1、制备样品流程图 ①：磁控溅射； ②③④⑤：多次阳极氧化处理过程； ⑥：离子束刻蚀； ⑦：除去AAO与Ti； ⑧：FePt的反点结构 2.1.2、室温下，在SiO2基板上，利用磁控溅射法制备 FePt(厚5nm)薄膜。在其上，依次使用80W，150W，250W，350W的溅射功率溅射Ti(15nm)和Al(500nm，400nm，300nm)。利用AFM观察Al表面形貌，找出粗糙度最小的Al膜的表面形貌。 结果表明，溅射功率为350W的条件下，Al表面的粗糙度平均相对较小。形貌的AFM图如下： Ra: 7.67 nm Ra: 11.82 nm 图1：Ti/Al 350 W 300 nm AFM图 Ra: 23.80 nm Ra: 27.75 nm 图2：Ti/Al 350 W 400 nm AFM图 Ra: 8.21 nm Ra: 18.31 nm 图3：Ti/Al 350 W 500 nm AFM图 2.1.3、尝试不同条件的多次阳极氧化处理，将Al膜阳极氧化成表面较光滑的AAO(厚约200nm)。可以看出，以下列出的制备条件下得到的AAO比较符合刻蚀的要求。即在保持多孔结构的前提下，使AAO的孔洞尽可能的大，将是有利于进行刻蚀的。蚀刻过程为：[H2SO4 0.3M 60secs + (H3PO4 + H2CrO4)120 sec]x4 (H2SO4 0.3M 600 sec(H3PO4 1500 sec。AAO表面SEM图如下： 图4：Ti/Al 350 W 300 nm SEM图 图5：Ti/Al 350 W 400 nm SEM图 图6：Ti/Al 350 W 500 nm SEM图