模电“电子技术基础”康华光-ch3_1_PN.pptVIP

* * 3.0 半导体器件的种类及发展 3.1 半导体基础 3.2 PN结 3.3 半导体二极管 3.4 基本要求 Diode and Diode Circuits 3.0 半导体器件的种类及发展 １、种类： 二极管、三极管、场效应管、集成电路（IC） [Integrated Circuit] ２、发展： 电子器件的更新换代推动电子技术的发展，其中 电子学发展史上三个重要里程碑： 1)1906年电子管发明（进入电子时代） 2)1948年晶体管问世（半导体器件） 3)60年代集成电路出现(进入信息时代) 目前，贝尔实验室正研制超小体积和超低功耗的第四代半导体器件，它的问世将掀起电子技术新革命: 1．第一代电子器件——电子管 1906年，福雷斯特（Lee De Fordst）等发明，可实现整流、稳压、检波、放大、振荡等多种功能电路。 电子管体积大、重量重、寿命短、耗电大。世界上第一台计算机用1.8万只电子管，占地170m2，重30t，耗电150kW。 2．第二代电子器件——晶体管（半导体三极管） 1948年，肖克利（W.Shckly）等发明，在体积、重量等方面性能优于电子管。 但是，由成百上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多，可靠性差。 3．第三代电子器件——集成电路(IC) 1958年，基尔白等设想将管子、元件和线路集成封装在一起，三年后，集成电路实现了商品化。 IC按集成度分: (1)小规模IC（SSI）＜102 (2)中规模IC （MSI）＜103 (3)大规模IC （LSI）＜105 (4)超大规模IC (VLSI)＞105 微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS) 外形尺寸在毫米量级，组成元器件尺寸在纳米、微米量级 将信号探测、处理、控制和执行各子系统集成于一体的 可运作微型机电装置。 例：德国工程师制成黄蜂大小的能升空的直升飞机 应用：军事（小型间谍飞机） 单芯片系统(system on chip) 一片单芯片系统＝一颗卫星 微型计算机（嵌入衣服、皮包中） 微型手机（耳机大小，一年充电一次） 3.1 半导体基础 半导体（Semiconductor）定义 特点:导电能力可控（受控于光、热、杂质等） 典型半导体材料:硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 3.1.1 本征半导体 3.1.2 杂质半导体 3.1.1 本征半导体(Intrinsic Semiconductor) intrinsic: (指价值、性质)固有的, 内在的, 本质的 ——纯净无掺杂的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 (1) 共价键结构 (2) 电子空穴对 (3) 空穴的移动 (1）共价键(covalent bond)结构 空间排列有序的晶体(crystal) 以 硅原子(Si)为例： (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 电子空穴对：载流子（Carrier) 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡! 本征激发和复合的过程 （2）电子空穴对(Electron – Hole Pair) 本征激发（热激发） T=0 K时 电子(- ) 空穴(+) 复合(recombination) (3) 空穴的移动(导电）？ 相邻共价键中的价电子反向依次填补空穴 Bonded electron 本征半导体特点： 电子浓度=空穴浓度 缺点： 载流子少，导电性差， 温度稳定性差！ (1) N型半导体(n-type semiconductor) (2) P型半导体(p-type semiconductor) (3) 杂质对半导体导电性的影响 3.1.2 杂质半导体(Extrinsic Semiconductor) (1）N型半导体（电子型半导体） 施主杂质 (Donor impurities) 正离子 通过少量掺入五价杂质元素（如：磷），极大增加电子的数目。 多数载流子：电子（主要由杂质原子提供） 少数载流子：空穴（ 由热激发形成） 通过少量