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发光二极管测试 摘要 ????1前言 ????半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件. ????本文涉及的测试方法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行。 ????2术语和定义 ????2.1发光二极管LED ????除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲，术语LED应该仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,Infrared Emitting Diode）；发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。 ????2.2光轴Optical axis ????最大发光（或辐射）强度方向中心线。 ????2.3正向电压VFForward voltage ????通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。 ????2.4反向电流IRReverse current ????加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。 ????2.5反向电压VRReverse voltage ????被测LED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。 ????2.6总电容C Capacitance ????在规定正向偏压和规定频率下，发光二极管两端的电容。 ????2.7开关时间Switching time ????涉及以下概念的最低和最高规定值是10％和90％，除非特别注明。 ????2.7.1开启延迟时间td(on)Turn-on delay time ????输入脉冲前沿最低规定值到输出脉冲前沿最低规定值之间的时间间隔。 ????2.7.2上升时间trRise time ????输出脉冲前沿最低规定值到最高规定值之间的时间间隔。 ????2.7.3开启时间tonTurn-on time ????器件所加输入脉冲前沿的最低规定值到输出脉冲前沿最高规定值之间的时间间隔。 ton= td(on)+tr 2.7.4关闭延迟时间td(off)Turn-off delay time ????器件所加输入脉冲后沿的最高规定值到输出脉冲后沿最高规定值之间的时间间隔。 ????2.7.5下降时间tfFall time ????输出脉冲后沿最高规定值到最低规定值之间的时间间隔（见图1）。 图1开关时间延迟时间 ????2.7.6关闭时间toffTurn-off time ????器件所加输入脉冲后沿的最低规定值到输出脉冲后沿最低规定值之间的时间间隔。 ???????? toff=td(off)+tf ?????????????????? ????2.8光通量ΦvLuminous flux ????通过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的光通量。 ????2.9辐射功率ΦeRadiant power ????通过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的辐射功率。 ????2.10辐射功率效率ηeRadiant power efficiency ????器件发射的辐射功率与器件的电功率（正向电流乘以正向电压）的比值： ηe=Φe/(IF·VF) ????注：在与其它术语不会混淆时，可简称为辐射效率(Radiant efficiency)。 2.11光通量效率ηvLuminous flux efficiency ????器件发射的光通量Φv与器件的电功率（正向电流IF乘以正向电压VF）的比值： ηv=Φv/(IF·VF) ????注：在与其它术语不会混淆时，可简称为发光效率（Luminous efficiency）。 ????2.12发光（或辐射）空间分布图及相关特性 ????2.12.1发光（或辐射）强度IvLuminous（or Radiant）intensity ????光源在单位立体角内发射的光（或辐射）通量，可表示为Iv=dΦ/dΩ。发光（或辐射）强度的概念要求假定辐射源是一个点辐射源，或者它