张伟毕设答辩技术总结.ppt

HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 热烈欢迎各位老师、同学光临和指导我的毕业设计答辩 高Al组分n型AlGaN层高可靠性欧姆接触电极制备研究 学 生: 张 伟 专 业: 光电信息工程 指导老师：戴江南 老师 陈长清 教授 选题背景与研究现状 方案论证 实验内容与结果 总结与展望 致谢 内容提要 二 四 三 一 五 选题背景 课题来源：国家自然科学基金项目“背照式SAM结构AlGaN基日盲紫外雪崩光电探测器研究”。 选题背景：紫外线技术在军用和民用领域有着广泛应用，而高Al组分AlxGa1-xN(x＞0.4）材料在研制深紫外LED、LD和日盲探测器存在巨大潜力，但目前制备高可靠性、低电阻的欧姆接触是应用AlGaN基器件的瓶颈之一。 Water Purification 应用:在野外作战水净化、生化试剂探测、生化武器预警、导弹告警系统、制导、安全通信、空气净化、食品杀菌与消毒、医疗保健、固态照明、等军民用领域有着广泛应用 UV AlGaN基紫外发光与探测器件 Proc. of SPIE Vol. 6127 61271D-4 Schematic of a solar blind avalanche photodiode UV 欧姆接触 欧姆接触 国内外研究进展 目前国内外对于AlGaN器件欧姆接触研究集中在以下四个方面：接触形成机理，金属方案，接触前表面处理，退火工艺参数。 接触形成机理：分析Al组分对于欧姆接触形成影响，金属接触界面结构和基本物理理论等问题。 金属方案：主要分为Ti基和V基两种体系。 Ti基采用Ti/Al/金属/ Au结构，金属可选Ti、Ni、Mo等，V基多采用V/Al/V/Ag结构。 接触前表面处理：常用缓冲的氧化刻蚀(BOE)或BCl3/Cl2/Ar基等离子体刻蚀，除去表面氧化物，降低表面态密度。 退火工艺参数：快速退火时，优化退火温度和时间，获得最小比接触电阻率。 For n-AlGaN of high Aluminum content The Pennsylvania State University ,USA REVIEW: Ohmic contact to AlGaN epilayers 2002, EL , V(15)/Al(85)/Pt(25)/Au(75) n-Alo.44Gao.56N 1×10-5Ω?cm2 n-Alo.6Gao.4N 4×10-5Ω?cm2 2006, APL, V(20)/Al(100)/V(20)/Au(60) plasma etched n-Alo.58Gao.42N 4.7×10-4Ω?cm2 2008, JAP, V(20)/Al(95)/V(5)/Ag(120) n-Alo.58Gao.42N (2.4 ±0.3)×10-4Ω?cm2 Ti/Al/X/Au Ti, Ni, Pt, Pd, Mo, Cr etc. Sample Surface Metal Combination I-V curve ρc A As grown Ti/Al/Ti/Au linear 5×10-5Ω?cm2 B Plasma etched Ti/Al/Ti/Au nonlinear C Plasma etched Ti/Al/Ni/Au linear 5×10-4Ω?cm2 Ohmic contancts to n-Al0.68Ga0.32N Surendra Srivastava et al. Journal of Electronic Materials, Vol.38, No.11, 2009 V-based Ti-based Metallization Scheme: Which is better? 方案论证 根据欧姆接触制备与测试涉及的理论与工艺，对实验方案做如下论证： 一、传输线模型(TLM)的选择——计算比接触电阻率ρc 矩形传输线模型 圆点传输线模型 圆环传输线模型