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VLSI概論Introduction to VLSI 第四章 電路性能分析 by Chiou-kou Tung, IC Design Lab, EE, NCUT 影響電路工作速度的元件 一個電路的工作速度或切換速度（switching speed）決定於輸出端所接的電容與電阻。 電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容與接點電容。 接線電容由金屬或多晶矽當導線產生，且包含其邊緣電容。 影響電路工作速度的閘極電容 閘極電容：是輸出端接到下一級輸入的閘極上的電容。因 此對於CMOS而言，它至少會有兩個閘極電 容：一個為PMOS上的電容，另一個為NMOS上 的電容。也就是說，扇出數目愈多的邏輯閘， 其輸出端所接的閘極電容個數愈多，其工作速 度也就愈慢。 影響電路工作速度的閘極電容 閘極電容Cg可表示為 : Cg = Cgs ＋ Cgb ＋ Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層」電容值，除了偏壓值介於零與臨限電壓之間的範圍之外，不過在數位電路中偏壓在這範圍之內的時間相當短暫，它可以被認為是趨於一個定值 ， 其中A為閘極面積（或設計的通道面積），而 則是每單位面積的「薄氧化層」電容為 其中 為氧化層厚度。 影響電路工作速度的 擴散層電容 擴散層電容：當擴散n型雜質進入基體形成汲極及源極時，NMOS電晶體於是產生。由於擴散形成的汲極與源極是近乎長方體，而且極性與基體相反，於是乎，其電容效應除了本身（汲極或源極）表面積產生的電容之外還要考慮這些長方體的四周與旁邊的基體形成的電容。 影響電路工作速度的 擴散層電容 擴散層電容包含擴散表面與基體相鄰生成的電容和擴散區域四周邊牆與基體產生的電容效應，因為擴散的深度為一定值，所以這個因邊牆感應的電容值與擴散區域四周長度成正比。因此全部的擴散層電容可表示為: 其中a、b為擴散區域的長與寬，Cja為每um2會產生多少接面電容，Cjp則是每um會產生多少周邊電容。從上面這個式子可以發現，當擴散區域面積因技術進步線寬得以縮短而減少時，周邊電容就變得更重要。 影響電路工作速度的接線電容與其他電容 接線電容：是輸出端接至下一極輸入端所需要的訊號導線產 生的電容稱之，一般多利用金屬和多晶矽作為導 線。但是，金屬產生的電阻電容效應均比多晶矽 還要來的小，因此大部份的導線應該盡量使用金 屬，直到要接至閘極時才換成多晶矽。 其他電容：電容可能存在於任兩個電板之間，因此底下的這 些情況都會有電容的產生：閘極與通道之間、多 晶矽與基體之間、擴散層與基體之間、第一層金 屬與基體之間、第二層金屬與基體之間、第一層 金屬與第二層金屬之間、第一層金屬與多晶矽之 間、第二層金屬與多晶矽之間，這是對於雙層金 屬單層多晶矽製程而言，若是雙層金屬雙層多晶 矽的製程技術，就還要考慮第二層多晶矽與其他 層導體之間可能產生的電容。 影響電路工作速度的電阻 電阻估算:一物質截面積A，長度 ，電阻係數ρ，則此物質的電阻值R可以表示成： 在積體電路中各層物質的厚度有其定值t，因此可以表示成： 影響電路工作速度的電阻 其中w為該層物質的寬， 稱之為方塊電阻（square resistance）或薄層電阻（sheet resistance），以歐姆/方塊或Ω/□為單位。因此某一層物質的電阻就很輕易的以Rs倍計算出來