1.2光学基础光电检测教程方案.ppt

  1. 1、本文档共90页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
* * * * * * * * * * * * * * * 三、光偏振调制   利用偏振光振动面旋转,实现光调制最简单的方法是用两块偏振器相对转动,按马吕斯定理,输出光强为 式中 I0 为两偏振器主平面一致时所通过的光强;α为两偏振器主平面间的夹角。 1、采用电光效应实现的光偏振调制   电光效应指的是介质或晶体在电场作用下,其光学性质发生变化的各种现象。目前在电光效应方面主要以电致旋光效应、克尔效应和泡克耳效应来获得光偏振调制。 (1)利用电致旋光效应的光调制 图1.2.3-8 利用电致旋光效应进行光调制装置 P1与P2垂直时: 式中φ为起、检两偏振器主方向P1和P2间的夹角 石英晶体上所加电压: 晶体使偏振光振动面转过的角度: (2)利用克尔效应的光调制 克尔效应指某些各向同性的介质在电场作用下变成各向异性,光束通过将会产生双折射现象。 图1.2.3-9 用克尔电光效应调制光通量 E I 分别为起偏器和检偏器与电场方向的夹角 若 ,则 E 起偏器 检偏器 磷酸二氢钾晶体 (3)泡克耳斯效应的光调制 图1.2.3-9 用泡克耳斯效应调制光通量 L 对应的相位差为 泡克耳斯效应:某些晶体(ADP, KDP)在电场作用下会产生一个附加的双折射,这一双折射与外加电场强度成正比。(1893年德国物理学家F.泡克耳斯 Pockels首先研究了这种效应,由此而得名。) 电光调制线性 – 半波偏置 电光调制器应用装置 2、采用磁光效应实现的光偏振调制   磁光效应指的是介质或晶体在磁场作用下,其光学性质发生变化的各种现象。目前在磁光效应方面,主要是利用“法拉第”旋光效应和科登—穆顿效应来获得光偏振调制。 图1.2.3-9 利用磁光效应实现光调制 “法拉第”旋光效应   某些物质在磁场作用下,能使通过该物质的偏振光振动面产生旋转的现象。 在磁场内偏转面旋转的角度α为 当     时, 图1.2.3-9 利用磁光效应实现光调制 V为物质的费尔德常数,L为磁场中广经过的距离 如果交变电流为 则磁感应强度为 输出调制光强为 半导体激光器及光放大器等对来自连接器、熔接点、滤波器等的反射光非常敏感,并导致性能恶化。因此需要用光隔离器阻止反射光。光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件,其工作原理是基于法拉弟旋转的非互易性。 光隔离器的结构及工作原理图 对于正向入射的信号光,通过起偏器后成 为线偏振光,法拉弟旋磁介质与外磁场一起使信号光的偏振方向右旋45度,并恰好使低损耗通过与起偏器成45度放置的检偏器。对于反向光,出检偏器的线偏振光经过放置介质时,偏转方向也右旋转45度,从而使反向光的偏振方向与起偏器方向正交,完全阻断了反射光的传输。 法拉第效应光隔离器 当偏振光束的振动面与磁场方向按夹角入射时,光束分解为两束振动相互垂直、传播速度不同但传播方向一致的偏振光,其中一束的振动面与磁场方向平行,另一束光与磁场方向垂直。两束偏振光经过磁场作用下的介质长度为L,产生的光程差为 科登—穆顿效应 利用该效应构成的光调制器原理与利用克尔盒的方案类似。 C为与介质性质、温度及长度有关的常数。 四、频率和波长调制   利用外界因素改变光的频率或光的波长,通过检测光的频率或光的波长的变化来测量外界的物理量的原理,称为光的频率和波长调制。 1、频率调制   光的频率调制,主要是指光学多普勒频移。光学中的多普勒现象是指由于观测者和运动目标的相对运动,使观测者接收到的光波频率产生变化的现象。实际中大多数考虑移动物体所散射光的频移,这种情况可当作一个双重多普勒频移来考虑,即先从光源到移动的物体,然后由物体到观测者。   设光源和观测者都相对静止,物体以V 速度移动(见图1.2.3-16) Q S P 图1.2.3-16 多普勒频移 从光源S发出频率为ν的光被物体P散射,P所观测到的频率为 (1) 该频率的光又被P重新发射出来,在Q处接收到的频率为 将式(1)代入式(2)并考虑实际物体速度V要比光速c小得多,可近似地求得双重多普勒频移表达式 令    , (2) 则式(3)可整理得   多普勒频移可采用光混频技术来测量,即将两束频率不同的光混频,获取差频信号的光学外差技术。 式中E01、E02为两束光在光电探测器表面处的振幅;φ1、φ2为两束光的初相。 在光电探测器表面产生混频,其合成的总电场强度为 检测器输出的光信号I(t)正比于总电场的平方   设一束散射光与另一束参考光的频率分别为 、 , 它们到达光电探测器表面的电场强度分别为 式中B是常数。 对上式作三角变换,略去光学频率项,因为在检测器输出中不能

文档评论(0)

1112111 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档