材料科学基础-第9章-材料的亚稳态.ppt

* 第九章 材 料 的 亚 稳 态 材料的稳定状态指材料体系自由能最低时的状态，即平衡态。根据热力学，材料体系应处于平衡态。但由于动力学的原因，材料体系可能处于相对稳定的非平衡态，即亚稳态。 当材料所处状态不同时，往往具有不同的性能。可根据对材料性能的需要使其处于包括各种亚稳态在内的不同状态。 常见的材料亚稳态有如下形式： （1）细晶组织 （2）具有高密度晶体缺陷 （3）过饱和固溶体 （4）形成非平衡相 （5）非晶态 亚稳态 亚稳态 稳态 不稳定态 第九章 材料的亚稳态 第一节 纳米材料 一、纳米晶材料 霍尔—佩奇(Hall-Petch)公式指出多晶体材料的晶粒越小则强度越高。通常的材料制备方法至多只能获得细小到微米级的晶粒。 20世纪80年代以来，随着材料制备新技术的发展，人们开始研制出晶粒尺寸为纳米（nm）级的材料，发现这类材料不仅强度更高（但不符合霍尔一佩奇公式），其结构和各种性能都具有特殊性。纳米晶材料（或称纳米结构材料）已成为新材料发展领域的重要内容，并在材料科学和凝聚态物理学科中引出了新的研究方向——纳米材料学。 第九章 材料的亚稳态 纳米晶材料的二维模型 第九章 材料的亚稳态 1、纳米晶材料的结构 纳米晶材料（纳米结构材料）是由（至少在一个方向上）尺寸为几个纳米的结构单元（主要是晶体）所构成。在纳米晶材料中，不同取向的纳米尺度小晶粒由晶界联结在一起，由于晶粒极微小，晶界所占的比例就相应增大（体积可达50%）。 纳米晶材料中存在大量的晶体缺陷。当材料中存在溶质原子时，其在晶界的偏聚程度更为明显。 第九章 材料的亚稳态 2、纳米晶材料的性能 纳米晶结构材料因其超细的晶体尺寸（与电子波长、平均自由程等为同一数量级）和高体积分数的晶界（高密度缺陷）而呈现出特殊的物理、化学和力学性能。 纳米晶材料力学性能远高于其微米晶状态，如纳米晶高碳钢（1.8%C）的断裂强度由通常的700MPa提高到8000MPa。 霍尔-佩奇公式不能应用于纳米晶材料，因为霍尔-佩奇公式是根据位错塞积的强化作用导出，当晶粒尺寸为纳米级时，晶粒中存在的位错极少，故霍尔一佩奇公式不能适用。 纳米晶材料的晶界区域在应力作用下会发生弛豫过程而使材料强度下降。 纳米晶材料强度的提高不能超过晶体的理论强度。 0.64 - 2.04 Cu自扩散 ?K 德拜温度 0.39 - 2.0 Ag于Cu中 eV 扩散激活能 3.2 - 1.2 Al K 超导临界温度 20 -0.03 -1 Sb 4??10-9Tm3/kg 磁化率 130 215 222 Fe 4??10-7Tm3/kg 饱和磁化强度 (4K) 185 - 83 Cu MPa 屈服强度 8000 - 700 Fe-1.8%C MPa 断裂强度 32 - 43 Pd GPa 剪切模量 88 - 123 Pd GPa 弹性模量 6 7.5 7.9 Fe g/cm3 密度 0.37 - 0.24 Pd J/(g?K) 比热容(295K) 31 18 16 Cu 10-6K-1 热膨胀系数 纳米晶 单晶 多晶 金属 单位 性能 第九章 材料的亚稳态 第九章 材料的亚稳态 纳米晶粒之间能产生量子输运的隧道效应、电荷转移和界面原子耦合等作用，故纳米材料的物理性能异常于通常材料。 纳米晶导电金属的电阻高于多晶材料，因为晶界对电子有散射作用，当晶粒尺寸小于电子平均自由程时，晶界散射作用加强，电阻及电阻温度系数增加。但纳米半导体材料却具有高的电导率，如纳米硅薄膜的室温电导率高于多晶硅3个数量级，高于非晶硅达5个数量级。 纳米晶材料的磁性也不同于通常多晶材料，纳米铁磁材料具有低的饱和磁化强度、高的磁化率和低的矫顽力。 第九章 材料的亚稳态 3、纳米晶材料的形成 纳米晶材料可由多种途径形成，主要归纳于以下四方面。 （1）以非晶态（金属玻璃或溶胶）为起始相，使之在晶化过程中形成大量的晶核而生长成为纳米晶材料。 （2）对粗晶材料，通过强烈地塑性形变（如高能球磨、高速应变、爆炸成形等手段）或造成局域原子迁移（如高能粒子辐照、火花刻蚀等）使之产生高密度缺陷而致自由能升高，转变形成亚稳态纳米晶。 （3）通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、电化学方法等蒸发、溅射沉积途径，生成纳米微粒然后固化，或在基底材料上形成纳米晶薄膜材料。 （4）沉淀反应方法，如溶胶一凝胶（sol-gel），热处理时效沉淀法等，析出纳米微粒。 纳米半晶态高分子聚合物 纳米玻璃 第九章 材料的亚稳态