第三章-真空蒸镀.ppt

* 钛 [熔点＝1667℃, 1737℃下的蒸气压＝10-2托；M＝48.1] 钛通常用于提高附着力较差的蒸发材料的附着力，有时也用作电阻或电容薄膜。 钛对于玻璃和陶瓷基片的附着力和铬大致相同。钛是良好的吸气剂，能吸收大量的残余气体，如淀积的是纯膜，建议使用挡板。 * * 铬 [熔点＝1900℃, 1397℃下的蒸气压＝10-2托；M＝52.0] 铬不用熔解就可蒸发，这一材料可用作附着力较差的蒸发金属“附着剂”。用铬或其镍合金可以制作电阻器。 除钛以外，铬对于玻璃的陶瓷基片的附着力比其他普通金属蒸发材料都好，钛的附着力和铬相似。当在铬膜－玻璃界面上做破坏性试验时，由于铬膜附着力强，坏的往往是基片。 * 铬 [熔点＝1900℃, 1397℃下的蒸气压＝10-2托；M＝52.0] 铬不用熔解就可蒸发，这一材料可用作附着力较差的蒸发金属“附着剂”。用铬或其镍合金可以制作电阻器。 除钛以外，铬对于玻璃的陶瓷基片的附着力比其他普通金属蒸发材料都好，钛的附着力和铬相似。当在铬膜－玻璃界面上做破坏性试验时，由于铬膜附着力强，坏的往往是基片。 * * * 分子束外延是新发展起来的外延制膜方法，也是一种特殊的真空镀膜工艺。 蒸发材料 9、镉（Cd） m.p. 321oC pv=10-2Torr时，T＝217oC 镉的蒸发工艺与应用基本与锌相类似。 §3.4 影响薄膜生长和性能的几个因素及真空蒸发镀膜技术的应用 影响薄膜生长和性能的几个因素 真空蒸发镀膜技术的应用 影响薄膜生长和性能的几个因素 衬底 光洁、平滑、完整； 热膨胀系数与膜料接近 衬底的温度 蒸发温度 清洁处理情况 蒸发速率→生长速率 GO 真空蒸发镀膜技术的应用 微电子技术中的广泛应用（如蒸镀导电薄膜电极、超导薄膜、薄膜电阻、薄膜电容等等） 太阳能电池 传感器 激光器的窗口材料 光学镜头的增透膜、保护膜的制备 日常生活中的装饰美化材料（如：在塑料上镀膜） 超微颗粒的制备方法 磁记录薄膜（如复合磁头、薄膜磁头和磁记录介质薄膜等） 有效的科研手段 镜子的发展过程： 水→铜镜→玻璃上镀水银（汞镜）→银镜→铝镜 铝镜的分类：玻璃铝镜、塑料铝镜 塑料铝镜：具有不破、轻薄耐用的特点。国内镀铝镜多采用钨螺旋加热丝，所用铝丝纯度99.99%（如果纯度低会导致镀铝层反射率明显下降），真空度5 × 10-4Torr左右。 给塑料玩具镀铝 制备薄膜电容器 在塑料上镀铝膜 在塑料上镀铝膜 两钽舟分别放上0.4~0.5g纯Ti片, 待系统真空度达到1.0×10-3Pa时，在挡板的遮盖下, 加热其中一钽舟五分钟, 它起到吸收系统中残余气体的作用, 把真空度提高到1.5×10-4Pa, 再加热另一钽舟中的Ti五分钟, 可制得所要求的Ti膜。蒸发速率20nm/min, 钽舟温度1600℃, 制得Ti膜电阻率为100~150Ω·cm, 含氧量1.5%, 膜厚度100nm, 可动电荷数1.9×1010, 具有良好的金属光泽。 制备Ti膜 氧化钛薄膜 镀膜之前应对基材做预处理，以获得薄膜与基材较好的粘结性能。铜板和不锈钢板先用细砂纸(600#) 打磨平整,然后依次用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗；玻璃板直接用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗。本文使用兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室的大型真空蒸发镀膜机制备TiO2 薄膜。其镀膜工艺流程为：商品TiO2涂敷在蒸发源上→抽真空→离子清洗→延时60s→镀膜。离子清洗是通过N2气等离子体轰击镀膜基材，去除污染物，保证表面清洁，获得最佳的粘结效果。本试验中离子清洗条件是：电压1400～1500V，电流1.95～2.04A，压力3.0×10-2～3.2×10- 2 Pa；镀膜机内预镀材料的转速4r/min，运行时间120s。镀膜时：电压12～35V，电流257～416A，压力4.4 ×10-2Pa，镀膜机内预镀材料的转速12 r/ min，时间10s. §3.5 分子束外延技术（MBE） 分子束外延是在超高真空条件下，将薄膜诸组分元素的分子束流直接喷到衬底表面形成外延膜的技术。它是一种将原子一个一个直接在衬底上进行淀积的方法，其突出的优点是能生长极薄的单晶膜层，且能精确控制膜厚、组分和掺杂。MBE适于制作微波、光电和多层结构器件，从而为集成光学和超大规模集成电路的发展提供了有效手段。 分子束外延技术（MBE） 分子束外延技术制膜设备示意图 工作室压强： 不高于10-8Pa 要求晶格常数尽可能与外延材料相近。一般，≤7%能保持单一的外延关系。 MBE的要点 要求晶格常数尽可能与外延材料相近。一般，≤7%能保持单一的外延关系。 高真空环境 合适的衬底温度 严格控制各喷射炉的加热温度 控制分子束的强度和种