半导体材料讲义.ppt

长度达到14μm。AFM结果（图2.17）也显示了该条件制备的纳米棒的直径为100－250nm。XRD结果（图2.18）表明了利用PLD方法所制备的ZnO纳米棒是高度c轴取向的。 MBE技术 MBE技术 分子束外延是在高真空或者超高真空环境中，利用热蒸发等形式提供具有确定方向性的分子束或原子束，束流形式的原子或分子碰撞在衬底(通常为单晶片)表面并在表面沉积排列生长为特定的结构，衬底表面和原子分子束流都通过原位监测手段来监控，因而是一种非常精确的薄膜生长手段。 此法是20世纪60年代后期由美国Bell实验室的Arthur和Cho将真空蒸发法加以改进、提高而发展起来的。 MBE设备示意图 可分为系统、束源和监测设备三大部分 分子束外延 示意图 分子束外延 生长过程 分子束的产生 分子束的产生方法分为气源和固源两大类，由此分子束外延技术也分为气源分子束外延(GSMBE)和固源分子束外延(SSMBE)两大类。固源是指形成分子束的物质常温下为固体或液体等凝聚态，如单质的Ge、Si、B、C、Ga、Al、As、P等，采用加热或者裂解的方式获得分子束，设备有电阻加热坩埚的努森喷射炉(Knudsen effusion cell, K-cell)、电子束轰击加热的电子束蒸发器(Electron bombed Evaporator, EBE)、裂解炉等。电阻加热努森喷射炉用于Ge、Ga、Al等蒸发温度不是很高的物质，电子束轰击加热的电子束蒸发器用于C、W、B等耐高温难蒸发的物质，而裂解炉则用于As、P等物质，它们的蒸气易形成四聚体分子，需要将其裂解形成活性较高的二聚体或单原子分子。气源是指形成分子束的物质常温下为气态，如N2、O2、H2、甲烷、硅烷、氨气、磷化氢、砷化氢或其他金属有机化合物气体等，可通过漏阀向真空室喷射来提供，经常还需要采用加热、射频(RF)或者微波的方式对气体进行分解以获得较高的活性，这样的设备有裂解炉、射频源、微波源等。分子束通过快门进行开关控制，其强度则通过控制束源的温度、功率、流量等参数进行调节。 分子束的产生是MBE过程的第一物理阶段，它对MBE过程有着至关重要的影响。主要的影响因素有分子束的活性、分子束的强度(即蒸发速率)以及分子束的空间分布。下面分别对这三个因素加以讨论 (1)分子束的活性 分子束的反应活性与束流的产生方式关系很大。对于Ga、Al、Ge、Si、B、C等单质固源，蒸发得到的分子束中主要为中性原子，亦含有少量离子，因而活性较高。而对于As、P等单质，如果仅仅通过热蒸发的方法，得到是As4和P4的四聚体分子，活性较低；但如果蒸发出来的As4或P4再经过更高温度的裂解，就会得到As2和P2二聚体分子甚至As和P的单原子，反应活性较高[1,2]。对于气体源，如果不经裂解或者离化而直接通向衬底，分子束中主要是双原子分子或多原子分子，反应活性较低；但如果采用射频、微波或热的电阻丝对气体进行离化和裂解后，分子束主要以单原子、离子或自由基形式存在，则具有较强的反应活性。 束流的高反应活性有利于降低样品生长时的衬底温度，从而减弱结构或成分间互扩散，有利于制作陡峭界面和极薄层的结构，有利于制备热力学平衡态下难以制备的高浓度合金，从而产生新型的人工材料和器件。 (2)分子束的蒸发速率和分子束的空间分布 分子束的蒸发速率不仅决定了薄膜生长所需的时间，更是生长过程重要的热力学参数，而分子束的空间分布则决定了薄膜的最大面积和薄膜的厚度均匀性和成分均匀性。 分子束的蒸发速率与分子束的产生方式有很大关系。对于气体源，蒸发速率可通过流量计来控制和调节，控制方法简单，速率范围也可在很大范围内变化，且可以实现快速调节。对于固体源，蒸发速率基本由所蒸发物质的温度决定，因而通过控制温度控制蒸发速率。对于电阻加热坩埚的热蒸发方式，由于坩埚与装填物质作为一个整体升降温，热惯性较大，温度变化较慢，因而速率的调节响应较慢，有滞后效应；且由于快门的开关，对蒸发速率也会产生较大的影响。另外由于坩埚材料耐高温的限制，对于某些高熔点物质，该方法难以实现很高的蒸发速率。而对于电子轰击加热的方式，由于可以采用聚焦电子束方法集中加热所要蒸发的物质，从而达到很高的温度，可用来蒸发耐高温、难蒸发的物质，实现较高的蒸发速率；而且被加热部分的热惯性小，可以实现蒸发速率的高速调制。 分子束的空间分布，与束流的产生方式关系不大，而与束流源蒸发器的结构以及与衬底间的几何位置有关。为获得大面积、厚度均匀、成分均匀的薄膜，应尽力使蒸发源垂直地将分子或原子束流喷射到衬底表面，并使源和衬底的距离要足够大，另外还常常采用衬底旋转的方法以降低衬底面积上的厚度和成份的不均匀度。 分子束的传输与交叉 MBE的第二个物理区域是分子束的交叉区域。目前对发生在该区域中的物理现象了解还不是很