微电子工艺教程方案.docx

TSV封装技术 学 院 电子与信息学院 0 专 业 微电子学与固体电子学 0 学生姓名 詹静糠 1 学生学号 201520108379 指导教师 李国元 老师 0 摘要：3D-TSV封装技术是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的系统级封装最有效的技术途径之一。3D-TSV封装关键技术包括：通孔制作、通孔薄膜淀积、磁控溅射、通孔填充、铜化学机械研磨、超薄晶圆减薄、芯片/晶圆叠层键合等。本文阐述了TSV技术的发展、技术优势、主要技术环节、难题及挑战并做了总结及展望。 关键词：TSV；通孔；键和；晶片减薄 前言 自1965年“ 摩尔定律 ”提出以来，微电子器件的密度几乎沿着“ 摩尔定律 ”的预言发展。到了今天, 芯片特征尺寸达到22nm，再想通过降低特征尺寸来提高电路密度不仅会大幅提高成本，还会降低电路的可靠性。为了提高电路密度，延续或超越“ 摩尔定律 ”, 微电子制造由二维向三维发展成为必然。其方法之一就是将芯片堆叠以后进行封装, 由此产生了三维电路封装技术（3D IC packaging）。三维电路封装技术中, 芯片电极是通过金线键合的技术来实现电路的导通。随着芯片叠层的增加，键合金线将占用大量的空间。同时由于连接的延长使得电路能耗升高、速度降低。因此, 业界需要一种方法, 能够使得硅芯片在堆叠的同时实现电路的导通，从而避免采用硅芯片以外的线路连接。传统半导体工艺主要是针对硅圆片表面进行加工并形成电路, 而要实现硅芯片上下层之间的连接，需要一种能贯通硅芯片的加工工艺, 即 TSV技术。早在1958年, 半导体的发明人 William Shockley, 在其专利中就提到过硅通孔的制备方法。而 TSV 工艺的概念在1990年代末才提出, 香港应用技术研究院和台湾半导体制造公司于1998年申请相关美国专利, 而关于 TSV技术最早的论文发表于2000年。相比传统金线键合, TSV技术不仅能减少金线所占用的平面尺寸，由于减少了金线焊点使得Z轴方向达到最密连接, 三维尺寸达到最小。同时TSV技术降低了连接长度, 可有效降低芯片能耗, 提高运行速度。 一、TSV技术简介 1、3D封装及其形式 叠层芯片封装技术，简称3D封装，是指在不改变封装尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器及SDRAM的叠层封装。其封装形式包括： a.填埋型3D封装 在各类基板内或多层布线介质层中“埋置”R、C或IC等元器件，最上层在贴装SMC/SMD来实现立体封装。如图1。 图1 填埋型3D封装 b.有源基板型3D封装 用硅圆片集成技术（WSI）做基板时，先采用一般半导体IC制作方法作一次元器件集成化，形成有源基板，然后在实施多层布线，顶层在安装各种其他IC芯片或元器件，实现3D封装。这一方法是人们最终追求并力求实现的一种3D封装方法。如图2。 图2 有源基板型3D封装 c.叠层型3D封装 将两个或多个裸芯片或封装芯片在垂直芯片方向上互联形成3D结构。如图3、图4。 图3 封装内的裸片堆叠 图4 封装堆叠 TSV技术 TSV(through silicon via)技术是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称硅通孔技术，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。由于TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。图5所示是4层芯片采用带载封装方法(tape?carrier?package，TCP)和采用TSV方法封装的外形比较。 图5 TSV封装外形比较 二、TSV技术的优势 缩小封装尺寸； b) 高频特性出色，减小传输延时、降低噪声； c) 降低芯片功耗，据称，TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40%； d) 热膨胀可靠性高。 三、TSV技术的主要技术环节 通孔的形成 晶片上的通孔加工是TSV技术的核心，目前通孔加工的技术主要有两种，一种是深反应离子刻蚀，另一种是激光打孔。 激光技术作为一种不需掩模的工艺，避免了光刻胶涂布、光刻曝光、显影和去胶等工艺步骤，已取得重大进展。然而，未来当TSV的尺寸通孔降到10um以下时，激光钻孔就面临着新的挑战。目前这两种技术的细节及其选