IGBT基本原理剖析.pptx

IGBT简介;IGBT介绍; IGBT;1.IGBT定义;1.IGBT定义;1.IGBT 简化等效电路;二 IGBT发展历史背景;历史产品比较;非穿通型(NPT)结构→拥有缓冲层的穿通型(PT)结构→场终止型、软穿通型结构 平面栅结构→垂直于芯片表面的沟槽型结构 外延生长技术→区熔硅单晶;国外;三 IGBT结构;三 IGBT工作原理;三 IGBT电气特性——静态特性;三 IGBT电气特性——静态特性;三 IGBT电气特性——静态特性;三 IGBT电气特性——动态特性; ; 三 IGBT电气特性——动态特性;IGBT关断过程的电流随时间变化大体分为两个阶段: toff=tf1+tf2 第一个阶段MOS管导通电流的迅速降低阶段，即陡降阶段Ⅰ，下降时间为tf1，取决于IGBT内的PNP晶体管的电流放大系数。 第二个阶段是三极管电流缓慢减小到零的阶段，即与基区过剩载流子复合有关的缓慢下降阶段（指数下降阶段Ⅱ），下降时间为tf2，下降时间主要取决于N基区空穴流的??合速度,即N基区中少数空穴的寿命。 ; 三 IGBT电气特性——动态特性;四 IGBT 小结;IGBT;