Intel3DCrosspoint(XPoint)Memory关键技术点及意义剖析.pptxVIP

Intel 3D Crosspoint（XPoint）Memory关键技术点及意义;报告提纲;Intel发布的RRAM;RRAM--Resistive Random Access Memory 阻变随机存储器 无源1D1R（1S1R） 有源1T1R 单极型 双极型;1. 写（Write）操作参数Vwr，twr Vwr为写入电压。一般在几百mV至几V之间；twr为写入数据时间。传统器件中，DRAM、SRAM和Flash的twr分别为100ns、10ns和10us数量级。为了与传统器件相比显示出优势，RRAM的twr期望可以达到100ns数量级甚至更小。 2. 读（Read）操作参数Vrd，Ird，trd Vrd为读取电压。一般Vrd值要明显小于Vwr，而由于器件原理限制，Vrd亦不能低于Vwr的1/10。Ird为读操作所需电流。一般不能低于1uA。trd为读操作时间，与twr同等数量级甚至更小。 3. 开关电阻比值 ROFF/RON ROFF和RON分别为器件处于