物理电子发射总结精要.docx

一、热电子发射1、金属的热电子发射公式零场发射电流密度其中：A是发射常数的理论值，是平均反射系数，小于0.02，与势垒形状有关。可见金属的热电子发射电流密度与温度T和逸出功Eφ是指数关系。2、半导体的热电子发射公式其中逸出功式（1.43）为半导体的热电子发射公式，也称四分之五次方定律。发射系数：半导体热电子发射电流密度与金属有所不同，除了温度T的关系有差别外，还与杂质浓度ND有关。N型半导体的逸出功Eφ比金属小，在同样温度下，半导体有更大的电流发射密度。二、场致电子发射1、场致发射显示器FED与CRT的相同点：利用阴极电子经电场加速而轰击荧光材料发光的主动发光型显示器件。FED与CRT的区别点：（1）CRT采用热阴极，通过加热阴极材料使其表面电子获得克服表面势垒的能量从而发射出来；而FED采用冷阴极，采用表面功函数较低、电子势很小甚至为负值得材料，使之在外加电场作用下逸出。因此，FED不但降低了功耗，而且可以瞬时发射电子。（2）CRT的热阴极为点发射源或线发射源，需要通过偏转磁场的作用，才能在显示屏幕上进行扫描而产生显示。因此，CRT难以实现平板化；而FED的冷阴极为面发射源，可以十分方便地实现平板化和矩阵驱动，无论重量还是体积都大大降低。（3）CRT的加速电场电压通常在1330kV之间；而采用平板结构的FED一般加速电压小于10kV。另一方面，CRT的消耗电流很小，因此其功耗控制在可接受的范围内；而FED的加速电压较低，要达到与CRT相当地亮度，必然需要较高的消耗电流。（4）阴阳极距离也是两者的主要区别之一。CRT的阴阳极距离至少在1cm以上，大尺寸CRT甚至达到几十厘米；而FED的阴阳极距离小于3mm。FED优点：FED继承了CRT的高亮度、高对比度、宽视角的优势，又兼有LCD、PDP的超薄外观、高分辨率、功耗低特性，还很好地杜绝了CRT的电磁辐射和X射线辐射以及LCD的残像感。FED性能：(1）中大屏幕：15″－50″(2)颜色自然逼真：CRT荧光粉(3)发光效率高：CRT荧光粉 (4)全数字电视：数字寻址(5)响应速度快：＜1ms (6)视角宽广: ＞170°(7)用温度范围宽广：－40℃~85℃(8)功耗低：150W（40″）FED用户使用：（1）成本低廉：1.5CRT FED 0.4 LCD（2）环保：低辐射（3）轻薄便携：8－10cm典型场发射显示结构原理原理：在栅极和阴极之间有一个电压差形成电场，使得微尖释出电子，再经过阳极和阴极之间的高压电场加速电子使之轰击荧光粉而发光。FED三个基本工艺：真空工艺，微纳加工工艺，光电子半导体工艺。FED技术难点：1.电子束发射技术。电子发射材料的起始电场越低越好；电子发射极密度需大于 106A/cm2；每个发射极需均匀发射电子；在高真空、高电压下发射极维持稳定性与寿命2. 支撑间隔材料3. 真空密封技术4. 低压荧光粉技术FED用途：仪器仪表的监视器；手提式计算机显示屏；壁挂电视；摄像机的取景器；电子照相机的显示屏等娱乐用途；炮瞄定位显示等军事用途；汽车工业及航空工作中的导向系统监视器等；FED面临的问题：寿命不长，这是一个关键因素；由于玻壳和工艺问题, FED难于实现大屏幕化；阴极大面积发射的一致性不好；阴极发射的稳定性需要继续研究；结构复杂，支撑结构布局困难，真空封接还不完善。三、光电子发射1、金属的光电子发射光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。当一束光照射在样品上时，它将部分被反射、部分透射，还有部分被吸收。如果样品是固体，吸收光子后，将产生：1)激发新的载流子，增加了电导率，称为光电导效应； 2)使固体产生电动势，称为光伏效应；此前两种现象称为内光电效应。3)固体中吸收了光子能量的电子，具有较大的动能，其中具有向表面运动动量的电子，克服表面势垒，逸出到真空，成为发射电子，此现象称为光电子发射，是外光电效应。发射出的电子称为光电子，光电子所形成的电流称为光电流。斯托列托夫定律：爱因斯坦定律：爱因斯坦定律说明：入射的光子频率越高，每个光子的能量也越大，金属中处于最高能级的电子在获得该能量逸出后，自然具有最大动能，并且该动能与光强无关。斯托列托夫定律说明：即光越强，单位时间作用与阴极的光子数越多，自然会有更多的电子被激发，更多的光电子从阴极逸出。光电阴极灵敏度的表示方法：1)绝对光谱灵敏度指阴极发射的光电流与入射的单色辐射功率的比值（A/W）2、相对光谱灵敏度某波长的绝对光谱灵敏度与绝对光谱响应曲线上的最大值的比值3、白光灵敏度或积分灵敏度（μA/lm）指阴极发射的光电流与2856K 标准光源照射到阴极上的光通量的比值4、量子产额（量子效率）阴极单位t发射的光电子数（Ne）与入射光子数（Np）之比单位：为nm，为A/W