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STM32F207中文数据手册剖析
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基于ARM内核的32位MCU,150DMIPs,高达1MB Flash/128+4KB RAM,USB On-The-Go Full-speed/High-speed,以太网,17 TIMs,3 ADCs,15个通信摄像头接口
主要特性:
内核:
使用ARM 32位Cortex?-M3 CPU,自适应实时加速器(ART加速器?)可以让程序在Flash中以最高120MHz频率执行时,能够实现零等待状态的运行性能,内置存储器保护单元,能够实现高达150DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能。
存储器:
高达1M字节的Flash存储器
512字节的动态口令存储器
高达128+4K字节的SRAM
灵活的静态存储控制器,支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器
并行LCD接口,兼容8080/6800模式
时钟、复位和电源管理:
1.65~3.6V用于供电和I/O管脚
上电复位、掉电复位、可编程电压监测器和欠压复位
4~26MHz晶体振荡器
内嵌经出厂调校的16MHz RC振荡器(25 °C下精度为1%)
带校准功能的32kHz RTC振荡器
内嵌带校准功能的32kHz的RC振荡器
低功耗:
睡眠、停机和待机模式
VBAT为RTC,20×32位后备寄存器,以及可选的4KB后备SRAM供电
3×12位A/D转换器,0.5μs转换时间:
多达24个输入通道
在三倍间插模式下转换速率高达6MSPS
2×12位D/A转换器
通用DMA:
16组带集中式FIFO和支持分页的DMA控制器
多达17个定时器:
多达12个16位和2个32位的定时器,频率可达120MHz,每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入
调试模式:
串行单线调试(SWD)和JTAG接口
Cortex-M3内嵌跟踪模块(ETM)
多达140个具有中断功能的I/O端口:
多达136个快速I/O端口,其频率可达60MHz
多达138个耐5V的I/O端口
多达15个通信接口:
多达3个I2C接口(支持SMBus/PMBus)
多达4个USART接口和2个UART接口 (传输速率7.5 Mbit/s,支持ISO7816,LIN,IrDA接口和调制解调控制)
多达3个SPI接口(传输速度可达30 Mbit/s),其中2个可复用为I2S接口,通过音频PLL或外部PLL来实现音频类精度
2个CAN接口(2.0B 版本)
SDIO接口
高级互连功能:
带有片上物理层的USB 2.0全速设备/主机/On-The-Go控制器
带有专用DMA,片上全速PHY和ULPI的USB 2.0高速/全速设备/主机/On-The-Go控制器
带有专用DMA的10/100 以太网 MAC.,支持硬件IEEE 1588v2(MII/RMII)
8到14bit并行摄像头接口,最高达48Mbyte/s
CRC计算单元
96位唯一ID
模拟真正的随机数发生器
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表格目录
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插图目录
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插图目录
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插图目录
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1 简介
这个数据手册给出了STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器的说明书。欲知意法半导体STM32?整个系列的更多细节,请参阅2.1节:完全兼容整个系列。
STM32F205xx和STM32F207xx数据手册必须结合STM32F20x/STM32F21x参考手册一起阅读。在整个文档中,他们被称为STM32F20x设备。
有关内部闪存存储器的编程、擦除和保护等信息,请参考《STM32F20x/STM32F21x闪存编程参考手册》。
参考手册和闪存编程参考手册均可在ST网站下载:
有关Cortex?-M3内核的相关信息,请参考《Cortex-M3技术参考手册》,可以在ARM公司的网站下载:/help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.ddi0337e/
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2 概述
STM32F20x系列是基于工作频率高达120MHz的高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC内核。该系列整合了高速嵌入式存储器,Flash存储器和系统SRAM的容量分别高达1M字节和128K字节,高达4K字节的后备SRAM,以及大量连至2条APB总线、2条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。该系列产品还带有自适应实时存储器加速器(ART加速器?),在高达120MHz的CPU频率下,程序在Flash存储器中运行时,可以实现相当于零等待状态的运行
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