纳米压印光刻技术综述.pdfVIP

SpeciaIReDons综 述 纳米压印光刻技术综述 魏玉平 丁玉成 李长河 (青岛理工大学机械工程学院，山东青岛266033) 摘 要：文章在阐述纳米压印工艺构成要素的基础上，对几种传统压印技术工艺及其工艺变种进行了简要介 绍 ，总结出了纳米压印中所涉及的几个关键技术问题 ，并对纳米压印在集成 电路制造中所面临的挑 战进行了分析。 关键词：纳米压印光刻 关键技术 技术挑战 中图分类号 ：TG580 文献标识码 ：A Overview ofnano-imprintingtechnology WEIYuping，DING Yucheng，LIChanghe (CollegeofMechanicalEngineering，QingdaoTechnologicalUniversity，Qingdao266033，CHN) Abstract：Inthispaper，theprocessesaredescribedfirstlyandthenthetraditionalandstate—of—the—artsreview is presented．Furthermore，thekeytechniquesinvolvedin thenano-imprintlithographyandthetechnical challengesfacedinapplicationofthisprocessforfabricatingtheintegratedcircuitarediscussed． Keywords：Nano—imprintLithography；KeyTechniques；TechnicalChallenge 自1947年世界上第一只晶体管问世以来，半导体 本而采用图形复制的加工方法，因此 NIL技术具有低 微电子技术以及由此引发的各种微型化技术已经发展 成本 、高产出的经济优势。作为一种低成本的下一代 成现代高科技技术产业的主要支柱。作为微加工关键 光刻技术(NextGenerationLithography，NGL)纳米压印 技术之一的光刻技术的发展印证 了每 18～24个月集 技术将为纳米制造提供新的机遇，被誉为十大可改变 成度翻一番的摩尔定律的预言。随着经济发展的要求 世界的科技之一_3J。 促使半导体业特征尺寸朝着不断缩小的方 向发展，但 NIL较之现行 的投影光刻和其他下一代光刻技 受曝光波长衍射极限的限制，光学光刻的技术 已无法 术，具有高分辩率、超低成本 (国际权威机构评估同等 满足纳米制造技术对线宽高分辨率的要求。在现有技 制作水平的NIL比传统光学投影光刻至少低一个数量 术条件下提高光学光刻分辨率制造设备的成本将以指 级)和高生产率等特点，已被纳入2005版的国际半导 数形式增长。为了避免使用昂贵且复杂的光源和投影 体蓝图，并被排在 16nm节点。纳米压印技术作为微 光学系统，纳米压印光刻技术 (nano—imprintlithogra— 纳米制造的一种新方法，具有 巨大的发展潜力和应用 phy，NIL)这一低成本 图形转移技术的提出和发展越 前景，现已为众多国家所关注，并积极投人到其研究开 来越多地为人们所知。 发工作 中去。国外普林斯顿大学、德克萨斯大学、哈佛 NIL技术的研究始于华裔科学家普林斯顿大学纳 大学、密西根大学、林肯实验室、摩托罗拉、惠普公司及 米结构实验室的StephenY．Chou教授…。纳米压印 瑞士的PaulSchemer研究所 、德 国亚琛工业大学等众 是将具有纳米级尺寸图案的模板在机械力的作用下压