结构设计中的电磁屏蔽设计.pdf

机械管理开发 总第 150期 MECHANICAL MANAGEMENT AND DEVEL0PMENT 110talof150 2015年第 8期 NO．8 2015 设计试验 结构设计中的电磁屏蔽设计 杨三玺 (太原航 空仪表有限公司，山西 太原 030006) 摘要：结构件在电磁兼容方面有着特有的电磁屏蔽功能，为提高结构件在 电磁兼容 中的屏蔽作用， 必须对结构进行合理的设计 。从设计角度 出发 ，着重介绍 了电磁 屏蔽原理、利用结构件抑 制 电磁 干扰 的几种思路和 电磁屏蔽 的原理及其方法 。 关键词 ：结构设计 ；电磁屏 蔽 ；屏蔽设计 中图分类号 ：TN03 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003．773X(2015)08．0044．03 DoI：10．16525／i．cnki．cn14—1134／th．2015．08．016 引言 到屏蔽体时 ，电磁波将会 以三种能量形式进行损 电磁屏蔽是利用导 电或导磁材料组成 的屏蔽 耗 。屏蔽体的整体屏蔽效能可用公式(3)表示 。 体将需要 防护 区域封 闭起来 ，阻止和减少 电磁能 EsaB— RdB+ AdB+ BdB (3) 量传输 的一种措施 。屏蔽体对 内限制 内部辐射区 如图 1所示 ，当电磁波入射到屏蔽材料上时， 域的电磁波的泄漏，对外防止外部的辐射进入 自 由于屏蔽材料两侧 的介质均为空气，在屏蔽材料 身区域 。若 电子设备外部箱体设计成 连续屏蔽 的第一界面发生 阻抗 的突变 ，一部分 电磁波就被 体 ，则可 以较好达到上述屏蔽 目的。但实际设计 反射 ，即为反射损耗 ，用 R表示；另一部分透过屏 中，屏蔽体上不可避免地存在各种缝隙、开孔 以及 蔽材料表面进入屏蔽材料 内部 ，在屏蔽材料 内部 进 出电缆等各种缺 陷，这些缺 陷使屏蔽体局部 电 按指数规律衰减 ，又消耗掉一部分 电磁能量 ，即吸 流不连续 ，造成 了屏蔽体的屏蔽效能急剧地劣化 。 收损耗 ，用 A表示 ；透射波在离开板的第二个分界 1 屏蔽效能 面时，又发生反射 ，而且是在两个界面之 间多次反 屏蔽体 的屏蔽能力用屏蔽效能 E来表示 ，通 射，这种反射称为多次反射修正因子，用 B表示 。 常用分贝(dB)来计量，它的值表示屏蔽体对 电磁 图 1所示是实心屏蔽材料 的屏蔽效能模型 。 波的衰减程度 。假设无屏蔽体时空间某点的电场 强度 E (或磁场强度 H )，有屏蔽体时该点电场强 E 度 E (或磁场强度 H )的，则 电场屏蔽效能、磁场 屏蔽效能表达式如公式 (1)、公式 (2)。 电场屏蔽效能 ：E一201g(E ／E。) (1) 磁场屏蔽效能 ：E一201g(H ／H ) (2) 2 屏 蔽的机理分析 屏蔽通常是把屏蔽体看成是一个在结构上完 E2 整 ，在电气上连续 的均匀封 闭体 。当 电磁波入射 图 1 实心